一种用于生长可调谐激光晶体的方法

    公开(公告)号:CN118087014A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410280437.9

    申请日:2024-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种用于生长可调谐激光晶体的方法,该方法包括以下步骤:S1、将溶质与复合助熔剂混合均匀,得到原料混合物;所述溶质为Li2CO3、MoO3、MgO、Al2O3和Cr2O3;所述复合助熔剂由Li2Mo3O10和B2O3复合而成;所述复合助熔剂体系中B2O3和Li2Mo3O10的摩尔百分比为10‑30%;所述复合助熔剂与溶质的摩尔比为0.8:2,Cr3+离子的掺杂量为0.2‑5at.%;S2、将原料混合物在玛瑙研钵中研磨混合均匀后,装入铂金坩埚并置于熔盐炉,于空气气氛下升温至910℃‑850℃使原料混合物完全熔融,恒温24‑36h使熔体反应完全;S3、将铂金丝缠绕在刚玉籽晶杆的顶端用作籽晶,再将其下降至液面上方直至跟液面接触,将温度降至饱和点附近后再以0.4‑35℃/天的速度降温6‑30天,然后提起籽晶杆,退火至室温,得到自发成核的可调谐激光晶体。

    一种镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116641136A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310483158.8

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体及其制备方法和应用,涉及激光材料技术领域。本发明的镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体分子式为:Dy3+:LnMgB5O10;Ln为La、Gd、Y和Lu中的至少一种。本发明方法:(S1)含镁源、Ln源、镝源和含硼化合物的原料通过高温固相技术制备得到多晶物料;(S1)多晶物料通过高温熔液生长技术生长得到镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体。本发明的掺镝离子硼酸镁稀土黄光激光晶体具有良好的热导性能、机械性能、光学特性以及较高的激光损伤阈值;经GaN半导体激光泵浦可实现560~600nm黄光激光输出,能够广泛应用于生物军事、激光雷达及科研等领域。

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