公开(公告)号：CN106542505A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610905163.3

申请日：2016-10-18

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  赵三根 ,  沈耀国 ,  赵炳卿 ,  孙志华 ,  李丽娜 ,  姬成敏

IPC: C01B19/00 ,  C30B29/22 ,  C30B7/14 ,  G02F1/355

CPC classification number: C01B19/002 ,  C30B7/14 ,  C30B29/22 ,  G02F1/3551

Abstract: 本发明涉及Bi3TeO6OH(NO3)2化合物、Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体不吸潮，具有较宽的光学透过范围、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定等优点；该Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

公开(公告)号：CN106521632A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610888730.9

申请日：2016-10-12

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  孙志华 ,  姬成敏 ,  张书泉 ,  李丽娜

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  C30B7/04 ,  C30B7/08 ,  G02F1/355

CPC classification number: C30B29/54 ,  C30B7/04 ,  C30B7/08 ,  C30B7/14 ,  G02F1/3551

Abstract: 本发明涉及无机-有机杂化的超分子型非线性光学晶体[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]及其制备方法和用途，属于光电功能材料领域；[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]晶体属于单斜晶系，P21空间群，其晶胞参数为β＝105.226ClO4-]·[18-crown-6]非线性光学晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的1.2倍，且能够实现相位匹配；采用溶液降温法，以18-冠醚-6作为添加剂改善晶体生长习性，可以生长大尺寸的[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]非线性光学晶体，晶体尺寸为10×8×3mm3；[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]晶体具有较稳定的物化性能，易于切割加工，可用于制作非线性光学倍频器件。(7)°， Z＝2；[(C6H4NO2NH3+)

公开(公告)号：CN106480506A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610888927.2

申请日：2016-10-12

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  姬成敏 ,  孙志华 ,  张书泉 ,  李丽娜

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  C07C211/07 ,  C07C209/00 ,  C07C209/56 ,  C07C53/18 ,  C07C51/41 ,  C07C51/43

CPC classification number: C30B29/54 ,  C07C53/18 ,  C07C211/07 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明涉及有机分子铁电晶体二正丁胺二氟一氯乙酸盐及其制法和用途，通过Sawyer-Tower电路测试本发明有机分子铁电晶体材料二正丁胺二氟一氯乙酸盐的电滞回线，结果表明：它在铁电相展现了良好的铁电性能，具有较大的饱和极化强度，达到3.9μC/cm2，适中的矫顽场，约为12.4kV cm-1。变温非线性测结果表明，该材料在顺电相没有明显的二阶非线性倍频信号，当温度降至居里温度(243K)时，出现明显的二阶非线性倍频信号，随着温度的降低，非线性信号强度值达到饱和，在整个测试温度范围内展现了优异的非线性“开”“关”性能，开关比达到～28，且重复性较好。反应简单，条件温和。

公开(公告)号：CN103059814B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110325485.8

申请日：2011-10-21

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  孙志华 ,  陈天亮 ,  洪茂椿

IPC: C07D213/53 ,  C07C309/06 ,  C07C303/32 ,  C09K5/02

Abstract: 本发明提供一种相变材料4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶三氟磺酸盐。该材料在320K温度附近发生可逆相变，相变过程中的潜热大于2000J/mol。该化合物化学式为C17H19N2O3F3S，室温下属于单斜晶系，其空间群为P21/c，在高于320K的温度范围内空间群亦为P21/c，但晶胞参数发生明显变化。材料的相变过程可逆，能够多次循环使用，在蓄能器件、节能系统等方面具有潜在的应用价值；此外，相变过程中材料的介电性质发生“阶梯型”变化，可以作为可控介电电容、可控介电光栅等领域的候选材料。

公开(公告)号：CN104389022A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410589302.7

申请日：2014-10-28

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  孙志华 ,  陈天亮

IPC: C30B29/54 ,  G02F1/355

CPC classification number: C30B29/54 ,  G02F1/3551 ,  G02F1/3613

Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体2-[(E)-2-(3-甲氧苯基-4-羟基)乙烯基]-1-甲基喹啉4-氯苯磺酸盐的制备、同质异晶及其作为倍频材料和非线性吸收材料的应用，属于功能材料领域；其分子式为C25H22NO5SCl，单斜晶系，具有两种不同的构型：晶型I结晶在P21/n中心对称空间群，晶型II属于Pc非中心对称空间群；材料具有良好的三阶非线性光学性能，表现为明显的饱和吸收效应；构型II晶体的倍频强度约为0.6倍DAST晶体(DAST为4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶4-甲基苯磺酸盐)，作为光学倍频器件的候选材料具有潜在实施价值。

公开(公告)号：CN119352168A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411466919.X

申请日：2024-10-21

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 孙志华 ,  刘艺 ,  樊庆顺 ,  赵自豪 ,  罗军华

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明涉及一种热增强倍频信号的有机非线性晶体材料、制备方法及其应用，述的热增强倍频信号的有机非线性晶体材料当温度升至373K时,热增强倍频信号的有机非线性晶体材料为极性单斜晶系P21空间群，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#β＝92.651±0.006°，Z＝2，#imgabs2#本发明的有机非线性晶体材料加热能使非线性信号增强，而且合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、稳定性较高，是非线性光学性强度较大的热致非线性信号增强的有机分子化合物。其在二阶非线性倍频开关、THz辐射源器件、双折射晶体器件和闪烁成像器件领域均有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN112812021A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011580741.3

申请日：2020-12-28

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 孙志华 ,  徐豪杰 ,  韩世国 ,  刘艺 ,  罗军华

IPC: C07C211/17 ,  C07C209/00 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  G02F1/361 ,  G02F1/35

Abstract: 本发明涉及一种有机分子基反铁电体材料、制备方法及其应用，所述的有机分子基反铁电体材料的化学式为C7H16NBr，室温时为正交晶系Pbca空间群，晶胞参数为a＝8.1818(2)，b＝7.9363(3)，Z＝8，当温度升至354K时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为铁电相，当温度升至高于364K时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为顺电相。本发明的有机分子基反铁电体材料合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、稳定性较高，是饱和极化强度较大的有机分子反铁电体化合物。

公开(公告)号：CN112679419A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011580748.5

申请日：2020-12-28

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 孙志华 ,  刘艺 ,  郭吴倩 ,  罗军华

IPC: C07D213/38 ,  G02F3/02

Abstract: 本发明涉及p‑甲基苯磺酸[4‑(4‑二乙基氨苯乙烯基)甲基吡啶]水合物、制备方法及应用。该化合物的化学分子式为C25H32N2O4，组成为C18H23N2·CH3C6H4SO3·H2O，属于三斜晶系，空间群为P‑1,晶胞参数为a＝7.9587(3)，b＝9.6568(4)，α＝92.889(4)°，β＝98.665(4)°，γ＝101.321(4)°，Z＝2和本发明的化合物主要表现为明显的饱和吸收特性，且其制备过程具有反应条件温和、合成路线简单和原料易得等优点，作为非线性饱和吸收材料在激光脉冲压缩、光学双稳态器件等方面具有潜在的实施价值。

公开(公告)号：CN106495121B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610895740.5

申请日：2016-10-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  沈耀国 ,  赵三根 ,  赵炳卿 ,  孙志华

IPC: C01B25/45 ,  C30B29/14 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明涉及一种CsLiCdP2O7化合物、CsLiCdP2O7非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

公开(公告)号：CN106543103B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201610888725.8

申请日：2016-10-12

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 罗军华 ,  王洒洒 ,  李丽娜 ,  张书泉 ,  孙志华 ,  姬成敏

IPC: C07C209/00 ,  C07C211/35 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种发白光的有机‑无机杂化半导体材料[C5H9–NH3]4CdBr6(其中C5H9–NH3为环戊胺阳离子)、晶体及其制备方法和用途。本发明生长出发白光的有机‑无机杂化半导体[C5H9–NH3]4CdBr6的晶体。其具有优异的发白光特性，色坐标为(0.33,0.33)，显色指数为92.5；其具有良好的半导体性能。