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公开(公告)号：CN102479745B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010561133.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
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公开(公告)号：CN102427034B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110375079.2
申请日：2011-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。
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公开(公告)号：CN102339751B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010235058.6
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。
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公开(公告)号：CN101662263B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810118973.X
申请日：2008-08-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F3/60
Abstract: 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其特征在于，该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的栅极，该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常见的低频振荡，提高放大器稳定性，拓宽偏置电路带宽，只引入很低的插入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率放大器。
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公开(公告)号：CN101661921B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910307518.9
申请日：2009-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si3N4层和第二Si3N4层之间，包括第一Ti层、设置在第一Ti层上的Ni层、设置在Ni层上的第二Ti层、设置在第二Ti层上的Au层、以及设置在Au层上的第三Ti层。本发明金属布线层结构中的金属Ni在通过ICP刻蚀衬底后，可以保护布线层及以上部分，使得MMIC背孔工艺可以顺利进行，并且这种结构中的上下两层金属Ti改善了与Si3N4介质层的粘附性，提高了电容的性能，同时整个结构对电容值的影响不大，金属Ni上面一层金属Ti的引入可以改善金属Ni与金属Au的粘附性不好的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102340290A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010235057.1
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种适用于高频功率器件的并联LCR稳定网络，该稳定网络由第一电感、电阻、第二电感和电容依次串联而成，第一电感并联在输入匹配电路中，电容接地，其中：第一电感，用于稳定网络和输入匹配电路之间的互联，以及改善功率器件的稳定性；电阻，用于改善功率器件的稳定性；第二电感，用于电阻和电容的互联，以及改善功率器件的稳定性；电容，用于改善功率器件的稳定性。利用本发明，在保证电路稳定性的同时，减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗，改善了高频功率器件的线性度，从而提高了器件的功率增益和输出功率。
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公开(公告)号：CN101662885B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810119084.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对Ku波段微带型开关电路印制电路板进行背金的方法，该方法是在对该Ku波段微带型开关电路中印制电路板进行背金处理时，有选择性的对印制电路板进行背金处理，隔断该印制电路板微带线接地底板背面之间的部分，抑制微波信号的耦合效应，避免电路中引入更多的寄生参数，提高微带型开关电路的隔离度性能。利用本发明，有效抑制了微波信号的耦合效应，避免了电路中引入更多的寄生参数，最终提高微带型开关电路的隔离度性能。该方法具有制作简单，可重复性好，成本低，适用范围广等特点。
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公开(公告)号：CN102117947A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244526.3
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种适用于波导的功率合成及分配的波导结构，其特征在于，该波导结构包括功率分支部分、波导传输部分以及圆弧拐弯部分，其中功率分支部分与波导传输部分通过圆弧拐弯部分连接，该波导结构具有三个端口，信号从任一端口输入，从另外两个端口输出。利用本发明，可以有效地实现功率的空间合成，同时保证极低损耗，驻波性能良好，加工简单，具有可级联的特点。
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公开(公告)号：CN101662263A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810118973.X
申请日：2008-08-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F3/60
Abstract: 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其特征在于，该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的栅极，该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常见的低频振荡，提高放大器稳定性，拓宽偏置电路带宽，只引入很低的插入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率放大器。
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公开(公告)号：CN101614768A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910304985.6
申请日：2009-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种波导型耦合检波器，属于微波技术领域。所述波导型耦合检波器包括波导型耦合器和检波器，其中，检波器包括依次连接的第一微带线、第二微带线和第三微带线，第一微带线插入波导型耦合器第一预定深度，第三微带线插入波导型耦合器第二预定深度，第一微带线和第三微带线分别位于波导型耦合器中线的两侧，第二微带线连接检波二极管和匹配电阻。本发明的波导型耦合检波器损耗低，具有定向耦合能力，成本低，体积小，加工简单。
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