公开(公告)号：CN114792081A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110109527.8

申请日：2021-01-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈晓娟 ,  刘新宇 ,  丁武昌 ,  张昇 ,  李艳奎 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  郑英奎 ,  魏珂 ,  金智

IPC: G06F30/373

Abstract: 本发明涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。

公开(公告)号：CN108777262A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201810623122.4

申请日：2018-06-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张昇 ,  魏珂 ,  张一川

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 本申请提供了一种HEMT。该HEMT包括依次叠置设置的衬底、第一半导体层和第二半导体层，且第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，HEMT还包括位于第二半导体层的远离第一半导体层的表面上的栅极和钝化层，钝化层包括位于栅极一侧且设置在第二半导体层的表面上的钝化部，钝化部的厚度小于栅极的厚度，HEMT还包括设置在钝化部的远离第二半导体层表面上的场板。该HEMT在提高器件的工作电压的同时保证了器件的寄生电容较小。