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公开(公告)号：CN101267087A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064384.3
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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公开(公告)号：CN100349305C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200310119745.1
申请日：2003-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种大功率氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石等绝缘衬底上用金属化学气相沉积技术分别外延生长N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)利用光刻和干法刻蚀技术将设计好的大面积管芯刻蚀分隔成小面积管芯，并刻蚀到N型接触区氮化镓层；3)利用光刻和蒸发的方法在P型层和刻蚀形成的N型接触区制备P型透明电极和N型欧姆接触电极；4)利用空气桥技术和光刻、蒸发等方法制备金属电极，将每个小面积管芯的P型区连接起来，使每个小面积管芯P型区导通；5)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；6)最后用切割法或划片法沿设计好的大面积管芯的分割道分割成单个管芯。
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公开(公告)号：CN1525577A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03106434.5
申请日：2003-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的N电极区域刻蚀出直径或边长小于50μm的圆型或方形或任意形状的刻蚀孔，直到N型接触层；2)在P型氮化镓层上制备一层P型透明电极；3)在样品上蒸镀二氧化硅或氮化硅等绝缘膜；4)用光刻和腐蚀的方法将刻蚀或腐蚀出的N型层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型层，保留刻蚀孔侧墙面及台面上直径或边长约为100μm大小的绝缘膜；5)最后用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极，形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极。
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公开(公告)号：CN101872820B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010183393.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。
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公开(公告)号：CN101922015B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010263078.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814537B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN102074894A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910241546.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构，包括：一绝缘衬底；在该绝缘衬底上依次生长第一接触层、第一光限制层、第一波导层；在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区；在该有源区的上面生长有第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极；该第一波导层上面及侧边，在有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层和P型欧姆接触电极的侧边生长有绝缘层；两个N型欧姆接触电极，分别制作在第一接触层上面的两侧台面的中间；在第一接触层上面两侧暴露出的台面上生长绝缘层；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在第一波导层、有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极的绝缘层上和P型欧姆接触电极的上面。
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公开(公告)号：CN101625971B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810116414.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
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公开(公告)号：CN101894796A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084158.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法，包括如下步骤：步骤1：减薄，将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄；步骤2：抛光，将减薄的衬底抛光，去除减薄研磨过程中产生的机械应力；步骤3：利用激光划片技术，将激光聚焦在抛光后的衬底背面，沿横向分割道的中间，垂直于衬底背面，划一道沟槽，沟槽两边各留20μm到200μm宽度；步骤4：将激光聚焦的位置下降至沟槽底部，在已形成的沟槽处再划一次，形成解理的导向槽，并重复多次；步骤5：用裂片机将管芯沿划好的导向槽解理成条，形成具有腔面和腔长的管芯条；步骤6：沿纵向分割道的中间，划一道沟槽，并重复步骤4，用裂片机沿划好的导向槽将管芯条分割成单个管芯，完成解理。
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公开(公告)号：CN101626025A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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