公开(公告)号：CN110047967A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910246107.7

申请日：2019-03-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 马英杰 ,  顾溢 ,  邵秀梅 ,  李雪

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法。采用InP衬底和背照射结构。自衬底起依次包含InP腐蚀牺牲层，InGaAs腐蚀牺牲层，重掺杂InP腐蚀截止层，InGaAs吸收层，能带递变层，电荷层，重掺杂接触层，铟柱及读出电路；还公开了一种制造所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生与读出电路互联的雪崩焦平面模块；2)机械研磨抛光InP衬底层；3)化学腐蚀掉InP牺牲层；4)化学腐蚀掉InGaAs牺牲层。本发明的优点在于实现InGaAs雪崩焦平面对400-1700nm可见及近红外波段的宽光谱响应，控制精度高、损伤低。

公开(公告)号：CN110021617A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910246111.3

申请日：2019-03-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 马英杰 ,  顾溢 ,  邵秀梅 ,  李雪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构，所述结构特征是：像元采用隔离槽隔离形成正方形台面，台面侧壁倾斜30至90度，槽深到达衬底一侧金属接触层；焦平面InP衬底减薄抛光至10微米以下，并蒸镀荧光减反介质膜。本发明的优点在于实现对雪崩区荧光辐射传输路径的控制，显著抑制近邻像元由串扰产生的雪崩信号，提升InGaAs雪崩焦平面的成像质量。适用于线性及盖革模式、平面及台面结、InAlAs及InP倍增层等各种结构和模式的InGaAs雪崩焦平面串扰抑制，并可推广至其它材料体系。

公开(公告)号：CN116207176A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310252923.5

申请日：2023-03-16

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘博文 ,  顾溢 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/0735 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。

公开(公告)号：CN114551618A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210123379.X

申请日：2022-02-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李雪 ,  刘雅歌 ,  马英杰 ,  顾溢 ,  李淘

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法，宽谱铟镓砷焦平面的基底为InP，自基底起依次有InP腐蚀牺牲层，周期性薄层低维量子点层，腐蚀截止层，In0.83Ga0.17As吸收层和重掺杂接触层；还公开了一种制备所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生混成结构In0.83Ga0.17As焦平面探测器；2)机械研磨去除InP基底层；3)化学腐蚀去除牺牲层；4)干法等离子刻蚀去除部分截止层；本发明的优点在于实现单片响应范围覆盖400‑2600nm的铟镓砷焦平面探测器，可简化各类高光谱成像系统的光路，降低功耗、体积、重量，提升探测敏感度。

公开(公告)号：CN110205673A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910411829.3

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 顾溢 ,  王红真 ,  张永刚 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III-V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。

公开(公告)号：CN109280967A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811274504.7

申请日：2018-10-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 顾溢 ,  张永刚 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: C30B25/16

Abstract: 本发明涉及一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法，根据不同类型束源炉在两个温度点生长的材料生长速率或多元材料组分，获得束源炉对应生长速率或组分随温度的变化关系，实现对不同类型束源炉温度参数的换算。本发明的方法可以在不使用束流规的情况下，实现对分子束外延中束源炉温度参数的快速估计和定位，高效地实现对多元材料组分精确控制和多元材料生长，大幅提高束源炉参数的调节效率。本发明适用于In、Ga、Al、Si、Ge等多种束源炉，以及气态源分子束外延、固态源分子束外延等多种方式和设备，具有很好的通用性。