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公开(公告)号：CN104568756A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510028916.2
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/01 , G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种中波红外光谱可识别探测器，由具备空间和光谱分光能力的中波红外窄带滤光片阵列与相应的中波红外探测器单片集成的分光与探测一体化探测器，被探测光通过不同波长窄带滤光片单元进入探测器相应像元，就可以实现不同探测器像元只对不同波长光响应的功能，同时获取波段内不同波长的光响应信号。它结构简单，能同时实现各个通道的信号探测，无需进行光谱扫描，大幅节省了探测时间；避免了由于独立滤光片的衬底厚度以及使用粘合剂粘合探测器与分光器件导致探测器与分光器件间接接触引起的信号串扰；探测器像元与滤光片阵列采用光刻套刻技术对准，对准精度提高，解决了传统分光与探测分立的配准难题。
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公开(公告)号：CN1257422C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200410066548.2
申请日：2004-09-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于星载多光谱成像仪的双筒折反射式光学系统，其特征在于：光学系统从物方至像方按顺序由一个扫描反射镜，而后有两个分光学系统。该两个分光学系统分别由主反射镜、次反射镜和像差校正透镜组组成。本发明的优点是：系统结构简单、紧凑，加工、装校技术成熟，采用双光学系统整体上降低了光学系统设计、加工和装校的难度，提高了光学效率和像质。
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公开(公告)号：CN1598638A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410066548.2
申请日：2004-09-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于星载多光谱成像仪的双筒折反射式光学系统，其特征在于：光学系统从物方至像方按顺序由一个扫描反射镜，而后有两个分光学系统。该两个分光学系统分别由主反射镜、次反射镜和像差校正透镜组组成。本发明的优点是：系统结构简单、紧凑，加工、装校技术成熟，采用双光学系统整体上降低了光学系统设计、加工和装校的难度，提高了光学效率和像质。
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公开(公告)号：CN118495454A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410757301.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种基于双悬臂梁结构的静电调谐红外滤波器及其制备方法，所述静电调谐红外滤波器从下到上为，刻蚀过的硅衬底层、与悬臂梁相匹配的金电极层、空气悬空层、顶层金电极层、顶层刻蚀硅衬底层。该静电调谐滤波器的俯视图为正方形，其中硅的悬臂梁由硅片刻蚀完成与中心反射域连成一体化。金电极层则由liftoff工艺进行剥离与沉积，金电极层应与刻蚀硅片的悬臂梁一致。下层悬臂梁结构与上层制造方式相同，顶部和底部的电极在组装时应镜像正对以使静电力可以发挥最大效果。本发明的基于双悬臂梁结构的滤波器能够有效解决在驱动电压不足时的桥面位移过小的情况，能够扩大滤波器的调谐范围，能够有效对谐振频率进行选择。该发明可用于红外探测器表面集成滤波片，获得紧凑片上集成的动态滤波调谐的探测功能。
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公开(公告)号：CN112968345A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110003179.6
申请日：2021-01-04
Applicant: 上海交通大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/098
Abstract: 一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；所述的反射膜由多对1/4波长厚度的ZnS和YbF3膜层构成，且所述的YbF3膜层与所述InAs/GaSb超晶格相接。本发明不仅具有宽带的中红外工作范围，且具有皮实、稳定可靠、参数可调等优良特性，为中红外超快锁模激光器的发展铺平了道路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223948A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010126548.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , C23C14/02 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构及制备方法。其单周期结构包括GaSb层，InAs层和InAsSb界面层三层结构。其制备方法是在II类超晶格周期性结构生长过程中，GaSb生长后直接生长InAs层，InAs生长后，打开Sb快门，使得Sb和InAs层中的As进行元素置换，从而形成InAsSb界面层。其特点在于：由于取消了InSb界面层的直接生长，仅在InAs生长后通过引入Sb浸润形成InAsSb界面层，既满足了应力补偿的需求，又简化了界面制备工艺难度，此外，避免了大失配InSb界面直接生长时引入的岛装结构缺陷，提高了材料性能。
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公开(公告)号：CN108417663A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810315001.3
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构。超晶格材料是一种多周期交叠生长的量子结构材料，与传统的平面结HgCdTe材料相比，超晶格探测器一般为原位掺杂的台面结构，无法直接通过激光诱导电流的方法测试吸收区的少子扩散长度。本发明公开的结构利用浅台面将PN结区与吸收区进行隔离，使得浅台面处吸收区在无电场作用的情况下产生光生载流子，并通过扩散到电场区被收集，从而可以方便快捷地测试并获得超晶格吸收区的少子横向扩散长度，对超晶格红外探测材料的参数测试及性能表征有重要的意义。
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公开(公告)号：CN106409937A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610893905.5
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为InAs层、GaAs层、GaAsxSb1-x层和GaAs层。其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的提高有利于表面原子扩散长度的增加，因此更有利于材料的二维生长和材料缺陷密度的降低；(2)As阀在整个II类超晶格生长过程中一直处于打开状态，使得在生长GaSb层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb三元化合物；由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少；(3)InAs层厚度的变化对InAs基II类超晶格的失配影响较小，极大地降低了长波、尤其是甚长波材料的生长难度，更易于提高材料的性能和质量。
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公开(公告)号：CN219015480U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202320126145.0
申请日：2023-01-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种基于圆弧型悬臂微桥工艺的静电调谐滤波器，电调谐滤波器由下而上依次的硅衬底层、底部“回”字形金电极层、空气悬空层、顶部“S”形硅桥面层和顶部金“插指”电极层构成；硅顶部桥面层的桥面悬臂拐角和桥腿固定连接处为“圆弧”结构，顶部金“插指”电极层的四个内边各有一根“插指”电极，该“插指”电极的固定端的圆弧半径与硅顶部桥面层的拐角的桥面圆弧一致。本实用新型的圆弧形微桥结构有效解决传统“直臂”型结构中90°拐角处和悬臂固定点存在应力过大且集中导致结构翘曲、倾斜、坍塌等问题，保证整体桥面一致性，且桥面总体应力均匀。该实用新型可用于红外探测器表面集成滤波片，获得紧凑片上集成的动态滤波调谐的探测功能。
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公开(公告)号：CN208904041U
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201820557199.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本专利公开了一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器。与传统的PIN器件结构相比，带间级联结构通过电子隧穿区和多量子阱弛豫区实现光生载流子的单方向输运，抑制了器件的产生复合电流、隧穿电流和侧壁漏电，从而大大提高该红外探测器的信噪比。特别是在结构中采用了多组同周期的量子阱来实现窄禁带宽度下电子弛豫区的设计，实现了长波带间级联的载流子输运，可获得30％左右的量子效率。因此本专利公开的结构利用InAs/GaSb/AlSb三种二元化合物形成不同周期厚度的超晶格和多量子阱材料，构成一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器，降低器件的暗电流，获得高灵敏度和高探测率的长波器件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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