公开(公告)号：CN101769941B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010101896.4

申请日：2010-01-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李天信 ,  殷豪 ,  夏辉 ,  陆卫 ,  包西昌 ,  胡伟达 ,  李宁 ,  李志峰 ,  陈效双 ,  李向阳

IPC: G01Q60/30

Abstract: 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。

公开(公告)号：CN208224427U

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201820500321.1

申请日：2018-04-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李天信 ,  谢天 ,  夏辉 ,  童中英 ,  陆卫

IPC: G01R31/26 ,  G01Q60/46

Abstract: 本专利公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测量真空腔中的低温试样台上，分别在红外光激发和暗背景条件下进行微分电容显微分布的测量，最后将测得的微分电容信号差值，得到由光激发少数载流子引起的微分电容信号分布。本专利适用于多数窄禁带半导体材料，能够在接近工作状态下实现对材料中少数载流子分布的灵敏测量，空间分辨率足以解析红外光电功能结构中PN结等关键区域，对评估半导体材料特性、预测和优化器件性能有重要的意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利