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公开(公告)号:CN102270977A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201110097105.X
申请日:2011-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明提供一种数字模拟混合移相电路。该数字模拟混合移相电路包括相连接的模拟式移相器与数字式移相器。其中,所述模拟式移相器具有第一控制端及第一信号输入端,用于根据所述第一控制端接入的相位控制信号对所述第一信号输入端接入的信号进行相应相位的移相;所述数字式移相器具有第二控制端及第二信号输入端,用于根据所述第二控制端接入的控制信号将所述第二信号输入端接入的信号进行0度或180度的移相。本发明可实现360度连续的相位调制,具有良好的相位控制精度,能够解决毫米波频段下全角度(360°)的高精度移相问题。主要应用在毫米波通信、毫米波相控阵天线等技术领域中。
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公开(公告)号:CN117699786A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311836323.X
申请日:2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/19 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种悬空石墨烯的制备方法,包括在衬底上旋涂剥离胶和光刻胶,经过曝光显影去除光刻胶和多余的剥离胶,将石墨烯和光刻胶的结合体转移到剥离胶上,经过曝光显影出现图形,刻蚀暴露的部分石墨烯,再一次旋涂光刻胶,再经过曝光显影去除多余光刻胶,在露出石墨烯的区域蒸发或溅射一层金属,然后去除光刻胶,最后去除剥离胶,即得。本发明可以精准实现不同形状不同尺寸的石墨烯悬空结构的制备,也可以应用于任意衬底,具有良好的推广应用前景。
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公开(公告)号:CN105486349A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201511015605.9
申请日:2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01D21/02 , B64C39/024 , G05D1/101 , G08C17/02
Abstract: 本发明涉及一种空间三维多参数分布测试系统及其实施方法,所述的额系统包括无线遥控的无人机,电控单元,减震单元和地面接收单元。通过所述系统的遥控器遥控无人机升降并实现自动数据采集和传输功能。主要特点:1、可时、空、物理多参数实时数据采集与传输,模块实现自动探测PM2.5,总挥发性有机物,温湿度,CO2,位置(x,y,z)数据,时间数据等多参数实时采集;2、采用三层电路板叠装优化结构设计,采用三层叠层工艺,立体布局,使电控单元体积减小;3、采用轻质高强度镁合金材料,保证电控单元重量小于500g;4、减震单元采用弹簧减震结构设计,减少震动对传感信号的精度影响,PM2.5传感器检测不确定度小于±10%;5、垂直高度分辨率达到0.25m。
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公开(公告)号:CN104833955A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510101524.4
申请日:2015-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01S7/02
CPC classification number: G01S7/35 , G01S7/352 , G01S13/584 , G01S13/93
Abstract: 本发明涉及一种3mm波段小型探测器前端,包括3mm小型化双天线、发射支路、接收支路、微带功率分配器和本振源倍频链路。其中,3mm小型化双天线包括发射天线和接收天线;本振源倍频链路用于提供可调频的本振信号;微带功率分配器将本振信号分成两路,一路馈给发射支路提供振荡信号,另一路馈给接收支路提供本振输入;发射支路用于将微带功率分配器输出的一路信号再次进行倍频和放大,得到3mm波段射频信号送至发射天线进行发射;接收支路用于将接收天线收到的3mm波段回波信号放大,再与本振输入信号进行二次谐波有源混频得到中频输出信号。本发明解决现有波导结构3mm波段探测器前端成本高、集成度低、体积大的问题。
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公开(公告)号:CN102386239A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201010271246.4
申请日:2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法,其结构包括:半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层;P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层,二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面,通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触;阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明,在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻,同时,平面结构有效降低了工艺难度,提高了工艺成品率,更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。
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公开(公告)号:CN101591811B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200910054392.9
申请日:2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法,包括:在GSMBE系统中,对衬底进行预处理;将砷烷裂解得到As2用作As源,调节气源炉AsH3压力Pv为450~700Torr,并控制各分子束流强度;然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长;通过半导体刻蚀工艺制作图形,经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大,来源方便,并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂;制备方法操作简单,成本低,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN101591811A
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200910054392.9
申请日:2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法,包括:在GSMBE系统中,对衬底进行预处理;将砷烷裂解得到As2用作As源,调节气源炉AsH3压力PV为450~700Torr,并控制各分子束流强度;然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长;通过半导体刻蚀工艺制作图形,经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大,来源方便,并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂;制备方法操作简单,成本低,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN117742076A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311836321.0
申请日:2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及一种提高匀胶平整性及均匀性的方法,包括如下步骤:提供任意衬底,将吸附性材料固定在衬底边缘,形成结合体;将结合体吸附在匀胶机上匀胶,即得到表面胶层厚度均匀的衬底。本发明解决了现有光刻技术中因胶层厚度不均匀导致的掩模版和衬底不能完全贴合的问题,相对现有技术,本发明能够显著改善掩模版和待光刻衬底的贴合,操作简单,成本低廉,适合所有尺寸的样品。
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公开(公告)号:CN106848593B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201611251523.9
申请日:2016-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种小型化高增益超材料喇叭天线,包括喇叭天线本体,所述喇叭天线本体上设有自输出端口面向内延伸的一台阶孔,该台阶孔内固定有一用于使所述输出端口面的电磁波相位分布均匀化的相位分布调整模块;所述相位分布调整模块包括至少两块重叠设置的非均匀超材料金属片,相邻两块所述非均匀超材料金属片之间设有一金属垫片,位于最外面的所述非均匀超材料金属片的外侧面与所述输出端口面齐平。本发明能够在实现高远场增益的前提下保证喇叭天线小型化、轻量化和集成化。
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公开(公告)号:CN104297298A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201410452147.4
申请日:2014-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/02
Abstract: 本发明涉及一种外周血循环肿瘤细胞检测芯片及系统,其中,检测芯片包括衬底,其特征在于,所述衬底上制备有相互连接的叉指电容电路和螺旋电感金属电路;所述叉指电容电路上紧密贴合有单层石墨烯薄膜;所述石墨烯薄膜上贴合有微流控制通道;所述微流控制通道与单层石墨烯薄膜形成了用于筛选出的肿瘤细胞的集成石墨烯微流控管道筛选微芯片;所述单层石墨烯薄膜、叉指电容电路和螺旋电感电路形成一个整体RCL谐振网络;所述螺旋电感电路还充当互耦天线的作用。检测系统包括检测信号读出分析装置和上述的外周血循环肿瘤细胞检测芯片。本发明能够实现对肿瘤细胞的快速、灵敏、准确和低成本的检测。
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