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公开(公告)号：CN118295156A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410408715.4
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的横向PN结与第二轻掺杂区(2)的垂直PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结；所述第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)在光传播方向上占脊波导的比例不相同。本发明通过构造横向PN结‑垂直PN结的不等比例三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器，这种调制器在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118244517A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408710.1
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不等比例三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一P型轻掺杂区(1)和第一N型轻掺杂区(3)以及第二P型轻掺杂区(2)和第二N型轻掺杂区(4)；所述第一P型轻掺杂区(1)、第一N型轻掺杂区(3)、第二P型轻掺杂区(2)、第二N型轻掺杂区(4)形成一个三维PN结。本发明通过构造不等比例的三维掺杂分布，实现了高效调制，在低驱动电压下具有高带宽的优势，可实现低功耗高速数据传输，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN108227075B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810218999.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导结构、制备方法及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第一波导之间具有预设间距，第二耦合区包括下部波导及位于下部波导上方的上部波导，下部波导与上部波导的截面宽度不同。通过上述方案，本发明提供的弯曲波导结构，通过改进外部波导的结构，在整体波导结构中引入了非对称结构的设计，使得外部波导的耦合区的两端以及上下均具有不同的尺寸，该非对称性设计具有增大带宽的作用，解决了现有波导结构的对波长敏感问题，进一步拓宽了弯曲波导结构的实际应用。
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公开(公告)号：CN114117762A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111352692.2
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种易加工的随机形状超原子生成方法、装置及存储介质。其中，方法包括：基于超原子平方反比生成函数生成超原子；基于最小线宽对生成的所述超原子进行筛选，得到符合加工条件的超原子。本发明生成的超原子边界平滑，没有任何倒角，而且这种方法可以自定义最小线宽，将尺寸太小的颗粒或小孔筛除，因此生成的超原子非常易于加工，在超表面的微纳加工方面具有实用价值。
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公开(公告)号：CN112558223B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110014152.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/14
Abstract: 本发明提供一种模式转换器及其制备方法，结构包括：依次连接的第一模式转换区、第二模式转换区、第三模式转换区以及第四模式转换区。其中，并进一步将第一模式转换区设计为非对称的Y分支波导，包括第一波导段和第二波导段，在第二模式转换区设计与弯曲汇聚波导，包括第三波导段和第四波导段，通过第三模式转换区的波导连接及光栅布置方式实现模式转换，形成耦合，包括第五波导段、第六波导段以及光栅区及制备在其中的凹槽结构，最终耦合后的光通过第四模式转换区输出，有效的实现了多模式的复用，有效的将入射的TE0模式的光转换为TE0和TE1混合模式的光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113093334A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110472031.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器及探测方法，包括：定向耦合器，用于实现TE0模式至TE1模式的转换；偏振旋转器，与所述定向耦合器连接，用于实现TE1模式至TM0模式的转换；纳米线单光子探测器，与所述偏振旋转器连接，用于实现对TM0模式的吸收及探测。本发明的基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器结构简单，是在SOI结构的基础上实现TE0模至TM0模的高效转换，并由纳米线单光子探测器快速吸收并探测，不仅极大地缩短了纳米线所需长度，从而降低了纳米线制作所要求的工艺条件，还保护器件避免被刻蚀剂破坏，使得器件工作性能稳定。
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公开(公告)号：CN112558223A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202110014152.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/14
Abstract: 本发明提供一种模式转换器及其制备方法，结构包括：依次连接的第一模式转换区、第二模式转换区、第三模式转换区以及第四模式转换区。其中，并进一步将第一模式转换区设计为非对称的Y分支波导，包括第一波导段和第二波导段，在第二模式转换区设计与弯曲汇聚波导，包括第三波导段和第四波导段，通过第三模式转换区的波导连接及光栅布置方式实现模式转换，形成耦合，包括第五波导段、第六波导段以及光栅区及制备在其中的凹槽结构，最终耦合后的光通过第四模式转换区输出，有效的实现了多模式的复用，有效的将入射的TE0模式的光转换为TE0和TE1混合模式的光输出。
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公开(公告)号：CN113359233B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110459989.2
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层；光栅发射器为半圆环形的同心环绕光栅且具有两个半圆环形镂空孔。采用氮化硅材料可应用的带宽大，且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小，光出射效率高；另外，光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光；最后，制备方法与CMOS工艺良好兼容，工艺简单，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112200289B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011284812.5
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统，所述条码识别装置包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔，所述激光器相对于所述衬底固定；所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本发明能够为微纳米器件提供条码标识。
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公开(公告)号：CN118759738A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913212.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的掺杂型热光移相器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述绝缘埋层的上表面；顶层硅波导，形成在所述覆盖层内部，并位于所述绝缘埋层的上表面；加热器，形成在所述覆盖层内部，并位于所述顶层硅波导的两侧，并与所述顶层硅波导的两侧贴合；所述加热器两端引出用于与电极相连的导线。本发明能够保证相移效率。
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