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公开(公告)号：CN109883602B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910189693.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01L9/08
Abstract: 一种基于SOI的自补偿硅微谐振式压力敏感芯片，涉及一种谐振式压力敏感芯片。本发明解决了现有谐振式压力敏感芯片谐振器受到外界因素影响而导致谐振频率漂移的问题。本发明包括第一谐振器(1)和第二谐振器(2),第一谐振器(1)和第二谐振器(2)水平并排安装在硅片上,且第一谐振器(1)的下面刻蚀减薄，用于测量待测压力信息；第二谐振器(2)的下面未刻蚀，用于测量除了压力以外的其他信息，补偿误差因素对第一谐振器(1)谐振频率的影响；第一谐振器(1)和第二谐振器(2)的运动方向和结构相同。本发明用于自补偿硅微谐振式压力敏感芯片。
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公开(公告)号：CN106996839B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710229919.1
申请日：2017-04-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种带拨动行程的拇指力控二维力敏传感器，涉及拇指力控二维力敏传感器领域。本发明是为了解决现有的拇指力控二维力敏传感器的操作手感差，操作精度低，目标跟踪定位准确性差，容易产生误操作的问题。通过拨动柔性骨架的圆柱形触头，拇指力通过转接支柱传递到敏感梁，敏感梁的力学模型是悬臂梁，拇指力引起敏感梁产生应变，该应变体现拇指力的状态。用于拇指拨动力控制的各类运动载体目标跟踪定位系统。
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公开(公告)号：CN109282941A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811399260.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01L27/00
Abstract: 一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统，本发明属于PVDF传感器测试标定技术领域，具体涉及一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统。本发明是为了解决现有采用分离式霍普金森杆每个冲击脉冲仅能标定一个PVDF传感器，如多传感器同时标定会出现冲击脉冲信号叠加不均匀现象以及标定量程短的问题。一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统由整体式霍普金森杆、PVDF传感器测试组件、信号采集系统组成；所述整体式霍普金森杆为一体式结构；PVDF传感器测试组件通过螺纹固定于整体式霍普金森杆的待测样品处；本发明结构简单，可以实现多批次PVDF样品同时标定。
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公开(公告)号：CN106930750A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710289069.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: E21B47/008 , E21B47/12
Abstract: 为了解决现有的数据采集装置传输时受干扰的问题，本发明提供一种潜油电泵井下数据采集装置。包括井上数据接收系统和井下数据发送系统；井上数据接收系统通过井上三相电抗器和三相动力电缆与井下数据发送系统连接，通过井上电力载波模块与井下数据发送系统交换数据；井下数据发送系统通过井下电力载波模块与传感器接口模块交换数据，并通过潜油电泵电机绕组与井上数据接收系统交换数据。本发明的电力载波模块以潜油电泵的供电线为载体，通过电力线载波通讯，结合扩频技术，在同一变压器下对传感器信号实现变频，将信号频谱搬移到多个频段，再将信号通过耦合电容耦合到电力线上的方法实现数据传输。
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公开(公告)号：CN103326477A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310260065.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 非接触式信号与能量耦合传输装置，属于无线信号传输领域。为了解决现有无线信号传输装置中供电端与用电负载通过金属导体接触供电，造成的导线裸露、机构磨损、碳积、接触电火花的问题。电能直接供给初级装置中的能量发射电路，能量发射电路与初级线圈相连，将能量加载到初级线圈，初级线圈通过电磁感应将能量传递到次级线圈，并发送至能量接收电路，能量接收电路为信号发射电路供电，使得信号发射电路开始工作，信号发射电路与次级线圈相连，将高频数据信号加载至低频的电能传输波形上，次级线圈与初级装置的初级线圈形成耦合磁路，由信号接收电路检出。本发明主要应用在旋转体测量领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115435962B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202211134315.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种高温铅铋合金压力传感器的感压组件及其传感器，属于传感器检测技术领域，本发明为解决现有测量压力的装置无法对具有腐蚀性的铅铋液态金属进行压力检测的问题。它包括：引压腔外壳套装在波纹管外侧，引压腔外壳内部的空腔构成感压组件的感压腔，感压组件前端设置有引压接嘴，连杆后端安装有铁芯，LVDT组件前端安装在连杆和矩形弹簧之间，连杆、矩形弹簧和LVDT组件的外侧套装有弹性体支架，弹性体支架后端安装有后端盖，弹性体支架前端与引压腔外壳连接；感压组件连杆产生的位移带动铁芯产生位移，进而使得LVDT组件产生输出电压，探头将电压信号通过电缆输送至变送器中，变送器输出电压信号。本发明高温铅铋合金的压力检测。
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公开(公告)号：CN113816329B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110984929.2
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种真空封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安装在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN113697761B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110983367.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种隔离封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题，封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上并留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安装在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号：CN115435962A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211134315.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种高温铅铋合金压力传感器的感压组件及其传感器，属于传感器检测技术领域，本发明为解决现有测量压力的装置无法对具有腐蚀性的铅铋液态金属进行压力检测的问题。它包括：引压腔外壳套装在波纹管外侧，引压腔外壳内部的空腔构成感压组件的感压腔，感压组件前端设置有引压接嘴，连杆后端安装有铁芯，LVDT组件前端安装在连杆和矩形弹簧之间，连杆、矩形弹簧和LVDT组件的外侧套装有弹性体支架，弹性体支架后端安装有后端盖，弹性体支架前端与引压腔外壳连接；感压组件连杆产生的位移带动铁芯产生位移，进而使得LVDT组件产生输出电压，探头将电压信号通过电缆输送至变送器中，变送器输出电压信号。本发明高温铅铋合金的压力检测。
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公开(公告)号：CN112268632B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202011121722.4
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种温度系数可调的耐1000℃高温金属薄膜热电阻及其制备方法，本发明属于温度传感器技术领域，具体涉及一种高温金属薄膜热电阻及其制备方法。本发明的目的是为了解决现有Pt膜热电阻在1000℃高温环境下Pt膜结构稳定性差、高温环境Pt膜表面防护弱、温度系数难以调控和高温引线连接可靠性低的问题。一种温度系数可调的耐1000℃高温金属薄膜热电阻包括耐高温基底层、高稳定感温层、耐高温防护层和高可靠引线防护层，且集成一体。方法：清洗陶瓷片；二、制备高稳定感温层；三、制备耐高温防护层；四、引线焊接；五、制备高可靠引线防护层。本发明通过三层的感温膜防护技术，实现高温环境下稳定测量。
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