-
公开(公告)号：CN110554389B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201910919856.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路，包括：毫米波信号接收模块，接收来自片外的毫米波信号和来自本振信号倍频模块的77GHz本振信号，进行下变频处理变为基带信号，再将基带信号输送至基带信号预处理模块；本振信号倍频模块，将38.5GHz本振信号倍频为77GHz本振信号，并将77GHz本振信号放大后传输至毫米波信号接收模块作为下变频处理的本振信号；基带信号预处理模块，接收来自毫米波信号接收模块的基带信号，将其滤波放大后输出。本发明在改善电路宽温工作增益起伏的同时，不会影响线性度，且对因宽温工作增益起伏导致的噪声恶化也具有改善作用；可靠性强，对工艺一致性依赖较小。
-
公开(公告)号：CN117176106A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311266978.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种基于电阻衰减网络的幅度相位一体化调控电路，涉及调控电路技术领域。本发明提供一种基于电阻衰减网络的幅度相位一体化调控电路，该电路包括相位调控网络和对称的电阻衰减网络，其中相位调控网络包括相位调控开关管和相位调控电容，所述相位调控开关管的控制端连接控制信号，其他两个连接端分别接地、连接相位调控电容的第一端；所述相位调控电容第二端连接在电阻衰减网络的对称位置连接端。相比于现有的通过级联的幅相控制系统，本发明仅增加相位调控开关管与电容元件，可在衰减单元尺寸保持不变的情况下额外实现相位调控功能，同时，一体化设置，避免了电路插损，提升了电路效率。
-
公开(公告)号：CN116886211A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310981877.2
申请日：2023-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种正交信号幅相自校准系统，属于芯片电路设计技术领域，包括由至少5位控制码控制的调幅电路、由至少5位控制码控制的调相电路、相位补偿电路、用于检测不同控制码状态下的幅度的功率检测电路、比较器、锁存寄存器、用于在时钟CLK信号作用下切换控制码值的状态机，其中，调幅电路包括调幅电路I和调幅电路Q，调相电路包括调相电路I和调相电路Q，相位补偿电路包括相位补偿电路I和相位补偿电路Q，功率检测电路包括第一至第四功率检测模块，比较器包括第一比较器、第二比较器，状态机包括第一状态机、第二状态机。本发明能够显著提高正交信号的相位正交性和幅度一致性。
-
公开(公告)号：CN114665908B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相系统，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
-
公开(公告)号：CN112165303A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011108952.7
申请日：2020-10-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于层叠变压器的宽带正交相位生成网络，包括第一单端网络和第二单端网络，第一单端网络包括第一变压器T1，第二单端网络包括第二变压器T2，第一变压器T1的第一主级线圈T11和第一次级线圈T12之间跨接两个电容，第二变压器T2的第二主级线圈T21和第二次级线圈T22之间跨接两个电容，第一主级线圈T11的同名端与第二主级线圈T21的同名端之间外接一个电容，第一主级线圈T11的异名端与第二主级线圈T21的异名端之间外接一个电容，第一次级线圈T12的异名端与第二次级线圈T22的异名端之间外接一个电容；本发明的优点在于：电容数量少，结构简单，加工成本低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110401423A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910652469.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种毫米波CMOS低噪声放大器，包括输入匹配电路、放大电路、输入匹配电路；所述放大电路设置于所述输入匹配电路和所述输入匹配电路之间；所述输入匹配电路包括第一电感、第二电感、偏置电阻、隔直电容和第一晶体管；输入端经过所述隔直电容、所述第一电感连接到所述第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的源极通过所述第二电感接地，偏置电压经过所述偏置电阻接到所述第一晶体管的栅极；所述第一电感和所述第二电感通过第一互感形成变压器结构；本发明将输入输出电路设置为变压器结构，采用变压器匹配技术缩小匹配电路尺寸，降低电路版图面积。
-
公开(公告)号：CN105871340B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610330753.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03D7/16
Abstract: 一种增益随温度正斜率变化的CMOS正交混频器电路，它包括基于Gilbert单元的正交混频器电路主体结构、开关控制负反馈电路和温度自适应控制电路，开关控制负反馈电路与正交混频器电路主体结构连接，温度自适应控制电路与开关控制负反馈电路连接。本发明根据工作温度变化实时采样片上温度信息，通过温度自适应控制电路改变正交混频器源级负反馈的大小，从而改变正交混频器转换增益，工作温度升高时，温度自适应控制电路逐渐减小源级负反馈等效电阻的大小，在补偿电路等效跨导随温度升高而降低所引起的增益降低的基础上，进一步使得混频器增益随温度升高而增大，即增益随温度正斜率变化，从而有效补偿射频电路与系统中因工作温度升高而增益降低问题。
-
公开(公告)号：CN105915196B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610330784.3
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03H11/18
Abstract: 一种CMOS宽带有源移相器电路，包括两路相互并行连接的双相可变增益放大器、三级多相滤波器、正交合成电路和相位控制电路，两路双相可变增益放大器分别作为I支路和Q支路的可变增益放大器，两路双相可变增益放大器的输出端分别连接三级多相滤波器的IQ输入端，三级多相滤波器的输出端与正交合成电路的输入端连接，相位控制电路的输出端分别与两路双相可变增益放大器及正交合成电路连接，两路双相可变增益放大器均连接输入端Sin_P和输入端Sin_N，正交合成电路连接输出端Sout_P和输出端Sout_N。本发明噪声系数低，移相范围可以覆盖0～360°，工作带宽较宽，能够达到一个倍频以上的工作宽带，生产成本更低，且更易于集成到以标准CMOS工艺实现的系统芯片里。
-
公开(公告)号：CN103746660B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310715496.6
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 针对传统共源共栅巴伦放大器的不足，本发明提供一种宽带CMOS低噪声巴伦放大器，由依次串接的共源共栅输入级、差分共栅隔离级和电阻负载级组成；其中，共源共栅输入级由共源共栅级电阻、第一电容、第二电容、第一NMOS管和第二NMOS管组成，并采用了电容交叉耦合与体交叉耦合的连接方式；差分共栅隔离级由第三电容、第四电容、第三NMOS管和第四NMOS管组成，并采用了电容交叉耦合的连接方式；电阻负载级由共栅支路负载电阻RCG和共源支路负载电阻RCS组成。本发明的有益效果为：本产品能在保证宽带特性的与单端‑差分转换的基础上，提升电路增益与噪声性能，改善差分输出平衡性，消除对片外电感和大面积片上电感的依赖。
-
公开(公告)号：CN105915196A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610330784.3
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03H11/18
CPC classification number: H03H11/18
Abstract: 一种CMOS宽带有源移相器电路，包括两路相互并行连接的双相可变增益放大器、三级多相滤波器、正交合成电路和相位控制电路，两路双相可变增益放大器分别作为I支路和Q支路的可变增益放大器，两路双相可变增益放大器的输出端分别连接三级多相滤波器的IQ输入端，三级多相滤波器的输出端与正交合成电路的输入端连接，相位控制电路的输出端分别与两路双相可变增益放大器及正交合成电路连接，两路双相可变增益放大器均连接输入端Sin_P和输入端Sin_N，正交合成电路连接输出端Sout_P和输出端Sout_N。本发明噪声系数低，移相范围可以覆盖0～360°，工作带宽较宽，能够达到一个倍频以上的工作宽带，生产成本更低，且更易于集成到以标准CMOS工艺实现的系统芯片里。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.036 seconds)
