性能测试方法
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113030687B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202110197136.6

    申请日:2021-02-22

    Abstract: 本发明涉及微纳器件测试技术领域,公开了一种性能测试方法,包括在不同的温度环境下对待测样品进行测试,获取待测样品的谐振频率温度系数;将待测样品固定于红外成像设备上,将红外成像设备加热至预设温度;向待测样品施加预设输入功率,使用红外成像设备对待测样品进行成像测试,获取待测样品在预设输入功率条件下的表面温度场信息;保持待测样品上施加的预设输入功率不变的情况下,测试获取待测样品的特征频率;根据谐振频率温度系数和特征频率,计算获取待测样品在预设输入功率条件下的等效温升。通过获取在预设功率负载下待测样品的表面温度场信息以及等效温升值,为相关产品的设计、可靠性评价及分析、失效机理建模等工作提供可靠的支撑。

    半导体器件失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质

    公开(公告)号:CN116381441A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310250336.2

    申请日:2023-03-15

    Abstract: 本申请涉及一种半导体器件失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法应用于测试系统,测试系统包括透明腔体、电力接口和图像采集设备,透明腔体用于放置待测半导体器件,所述方法包括:在透明腔体内的测试环境信息和待测半导体器件的电学偏置条件满足预设测试环境信息和预设电学偏置条件时,通过电力接口获取待测半导体器件的电学输出信息和电学输入信息;根据电学输出信息确定待测半导体器件是否放电;若放电,则通过图像采集设备采集待测半导体器件放电时的图像信息,并根据图像信息、电学输出信息、电学输入信息和测试环境信息确定待测半导体器件的失效信息。采用本方法能够确定半导体器件在低气压环境下放电的失效信息。

    单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN110045204B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN201910341865.7

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括:当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时,采集待测器件的电流,并将采集到的电流确认为效应电流;以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值,逐次减小输入电流,直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时,将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流;获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流;将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流,从而,本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流,提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度,进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。

    单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN110045204A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910341865.7

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括:当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时,采集待测器件的电流,并将采集到的电流确认为效应电流;以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值,逐次减小输入电流,直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时,将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流;获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流;将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流,从而,本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流,提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度,进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。

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