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公开(公告)号：CN109627694A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811567780.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 中南大学
IPC: C08L63/00 , C08K7/24 , C04B35/622 , C04B38/00 , C04B35/468
CPC classification number: C08K7/24 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B38/00 , C04B2235/606 , C08L63/00
Abstract: 本发明属于介电复合材料领域，具体涉及一种全新的介电复合材料。具体技术方案为：以冷冻浇注法构建定向排布的层状多孔陶瓷结构，再向所述层状多孔陶瓷结构中填充聚合物，即可获得所需介电复合材料。本发明创造性地将冷冻浇注法与介电复合材料的制备结合起来，简单有效地获得了具有定向、层状和多孔特征的材料。由于浆料配置中溶剂多样可选，这种方法可适用于陶瓷、金属等材料体系；同时工艺参数简单，且调控方便，可实现高定向度的多孔层状结构。
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公开(公告)号：CN109306142A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811147071.9
申请日：2018-09-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于介电复合材料领域，具体涉及一种新的介电复合材料。采用的技术方案为：一种介电复合材料，所述介电复合材料为陶瓷纳米线/聚合物复合材料，按体积百分比，所述介电复合材料中，所述陶瓷纳米线占比为1％～10％，所述聚合物占比为90％～99％；所述陶瓷纳米线在介电复合材料中以任意方向进行有序排列。本发明采用3D打印技术使浆料中的陶瓷纳米线定向排列，并调控了纳米线的分布方向，进而有效提升了复合材料的性能。
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公开(公告)号：CN106519516B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201611004728.7
申请日：2016-11-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石蜡包覆钛酸钡纳米颗粒的介电复合材料。利用成膜性和绝缘性好的石蜡作为修饰剂，包覆于150‑200nm尺寸的钛酸钡球形颗粒表面，制备成钛酸钡@石蜡核壳纳米结构的颗粒，然后与聚偏氟乙烯六氟丙烯(P(VDF‑HFP))聚合物基体复合，明显改善了其在P(VDF‑HFP)基体中的分散性和相容性。石蜡包覆钛酸钡/P(VDF‑HFP)复合物的渗流阈值相对钛酸钡/P(VDF‑HFP)复合物明显增大。当石蜡包覆钛酸钡球形纳米颗粒占复合物的体积分数为50％时，复合物介电常数在1kHz时增大到49.0，同时损耗低至0.06。在石蜡包覆钛酸钡球形纳米颗粒的体积分数为30％的条件下，复合物获得220kV/mm的抗击穿电场，能量密度高达13.85J/cm3。
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公开(公告)号：CN106751240A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611039951.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C08L27/16 , C08K2201/011 , C08L2203/20 , C08L25/18 , C08K9/04 , C08K9/02 , C08K9/06 , C08K7/08
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钠/聚合物复合材料，由表面原位修饰有刚性聚合物的钛酸钠和聚合物基体复合而成；所述表面原位修饰为通过钛酸钠表面官能化、链转移、单体聚合步骤在钛酸钠的表面原位聚合形成刚性聚合物。此外，本发明还公开了所述的钛酸钠/聚合物复合材料的制备方法和应用。本发明中，通过表面原位修饰有所述聚合物，可实现不增加复合中无机填料含量条件下提高介电复合材料介电常数。
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公开(公告)号：CN104312062B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410606390.7
申请日：2014-10-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种储能复合材料的制备方法，通过使用海因环氧树脂包覆修饰陶瓷材料，然后与偏氟乙烯树脂或偏氟乙烯共聚物树脂基体复合，得到储能复合材料；本发明的制备方法简单，获得了在低电场下具有高储能密度的复合材料，且克服了无机陶瓷和有机高分子材料相容性不好和混合不均匀的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104292717B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410605908.5
申请日：2014-10-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种海因环氧树脂的应用，将海因环氧树脂作为陶瓷材料的包覆修饰成分用于储能复合材料的制备；所述的储能复合材料是由海因环氧树脂修饰后的陶瓷材料与偏氟乙烯树脂或偏氟乙烯共聚物树脂基体复合而成；得到了在低电场下具有高储能密度的复合材料，还有效地克服了无机陶瓷和有机高分子材料相容性不好和混合不均匀的问题。本发明对于低电场条件下获得高能量密度具有重要应用价值及意义。
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公开(公告)号：CN104312062A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410606390.7
申请日：2014-10-31
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C08K9/10 , C08K3/24 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L27/16
Abstract: 本发明公开了一种储能复合材料的制备方法，通过使用海因环氧树脂包覆修饰陶瓷材料，然后与偏氟乙烯树脂或偏氟乙烯共聚物树脂基体复合，得到储能复合材料；本发明的制备方法简单，获得了在低电场下具有高储能密度的复合材料，且克服了无机陶瓷和有机高分子材料相容性不好和混合不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN119176963A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411492788.2
申请日：2024-10-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及介电材料制备技术领域，尤其涉及一种聚合物电介质薄膜的制备方法。本发明在惰性氛围下，将二胺单体、二酐单体、有机溶剂混合后，进行缩聚反应，得到前聚体溶液；其中，所述二胺单体和所述二酐单体中的一种含有苯甲基；将前聚体溶液进行亚胺化反应和苄基自由基交联反应，得到聚合物电介质薄膜。利用该制备方法制得的聚合物电介质薄膜的玻璃化转变温度(Tg)得到了提升，改性后薄膜可在250℃的高温环境下具有优异的击穿电场和储能密度，且该方法在合成商用聚合物电介质薄膜的工艺基础上不增加其他复杂且高技术含量的工艺，且无需真空的环境交联，环保节能，反应程度可控，制得的聚合物电介质薄膜表面平整以及横截面无明显的缺陷。
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公开(公告)号：CN119069259A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411172266.4
申请日：2024-08-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01G4/12 , H01G13/00 , C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超宽温稳定的钛酸铋钠基介质陶瓷材料及其制备方法，其化学式为(1‑x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑xCa(Fe0.5Ta0.5)O3，其中x为0.18‑0.22。所述钛酸铋钠基介质陶瓷材料采用传统固相法制备即可，其介电性能和温度稳定性十分优异：1kHz下室温介电常数为670，介电损耗低至0.0037，在‑150～450℃温度范围内介电常数的变化率小于15％，在‑110～300℃温度范围内介电损耗小于0.02。本发明所提供的超宽温稳定的钛酸铋钠基介质陶瓷材料适合用于高低温极端环境下的陶瓷介质电容器中。
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公开(公告)号：CN116766716A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310726865.5
申请日：2023-06-19
Applicant: 中南大学
IPC: B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/08 , B32B27/06 , B32B7/025 , H01G4/14 , C08L67/00 , C08L27/16 , B29C69/00 , B29L7/00 , B29L9/00
Abstract: 本发明提供了一种电场分布均匀的非对称多层结构全有机介电复合材料及其制备方法，涉及介电复合材料领域。该复合材料由上至下包括顶层、中间层以及底层；其中，顶层为纯聚偏氟乙烯薄膜，底层为纯芴聚酯薄膜；所述中间层为至少两层的聚偏氟乙烯/芴聚酯的混合物薄膜；所述中间层中聚偏氟乙烯/芴聚酯的比例为1％～99％：99％～1％。本发明的结果表明，均匀化分布的电场显著提升了能量密度(即从纯FPE的3.83提高到12.70J/cm3)和能量效率(即从纯PVDF的52.5％提高到74.6％)。该复合材料还获得了良好的循环稳定性和高功率密度，由此表明该复合材料在高性能介质电容器中具有巨大的应用潜力。
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