公开(公告)号：CN104916707A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510096483.4

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水上诚 ,  铃木拓马

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/0455 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的实施方式提供使导通电阻降低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极与上述第2电极之间，具有在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上碳空位密度变低的区域；第1导电型的第2半导体层，设在上述第1电极与上述第1半导体层之间，杂质元素浓度比上述第1半导体层高；以及第2导电型的多个第3半导体层，设在上述第2电极与上述第1半导体层之间。

公开(公告)号：CN104143501A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201310737133.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水上诚 ,  梁濑直子 ,  山下敦子

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的实施方式提供特性良好的半导体装置的制造方法以及制造装置。实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备：对碳化硅基板注入杂质的工序；对所述碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；通过在非氧化性气氛中对所述有机溶液进行加热，在所述碳化硅基板的所述一个面上以及另一个面上形成碳层的工序；和使所述杂质活化的工序。