-
公开(公告)号：CN116169173A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211074679.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种浪涌电流耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备晶体管区域和二极管区域。晶体管区域包含具有与第一面相接的第一部分的n型的第一碳化硅区域、p型的第二碳化硅区域、n型的第三碳化硅区域、与第一部分、第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域相接的第一电极、与第二面相接的第二电极以及栅极电极。二极管区域包含：具有与第一面相接的第二部分的n型的第一碳化硅区域；p型的第四碳化硅区域；与第二部分以及第四碳化硅区域相接的第一电极；以及第二电极。第四碳化硅区域的每单位面积的占有面积大于第二碳化硅区域的每单位面积的占有面积。另外，第一二极管区域设置在第一晶体管区域与第二晶体管区域之间。
Search Results
21
records
(took 0.046 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
