一种考虑主缆蠕变的悬索桥索夹螺栓预紧力损失计算方法

    公开(公告)号:CN118821467A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410943173.0

    申请日:2024-07-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种考虑主缆蠕变的悬索桥索夹螺栓预紧力损失计算方法,包括以下步骤:S1,获取悬索桥主缆和关注位置处的索夹螺栓的松弛试验数据,对试验数据采用多元指数函数拟合,得到基于时间硬化模型的特征参数;S2,计算预紧力损失过程中各时刻悬索桥主缆的蠕变应变量;S3,计算预紧力损失过程中各时刻主缆蠕变对索夹螺栓预紧力的直接损失;S4,计算在主缆蠕变的间接影响下各时刻的螺栓预紧力损失量;S5,将S3和S4中的结果叠加,得到任一时刻考虑主缆蠕变的悬索桥索夹螺栓预紧力损失。本发明能够全面反映主缆蠕变对索夹螺栓预紧力的长期影响,提高了悬索桥结构安全性的评估准确性,优化了维护策略,具有广泛的工程应用前景。

    一种基于红外超表面的尾焰传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117330184A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311167159.8

    申请日:2023-09-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于红外超表面的尾焰传感器及其制备方法,包括从上往下设置的红外超表面、导热绝缘层、电阻层、永磁体层、真空腔,发动机尾焰具有4.35μm特征波长的红外光被红外超表面吸收,并将吸收的光能转化为热能,热流通过导热绝缘层传递到电阻层,在永磁体层和热流的共同作用下,基于能斯脱效应在电阻层的左右两侧会产生电动势,从而可以实现对尾焰的检测。相比于传统的红外传感器,本发明的尾焰传感器无需外部供电,因此可以实现近零功耗的传感,且实现对外界杂散光源的隔离,有效提高了传感器的抗干扰能力,降低误报警概率。

    一种面向网络靶场的多目标优化虚拟机部署方法

    公开(公告)号:CN110362380B

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN201910519585.0

    申请日:2019-06-17

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 黄杰 张鹏飞

    Abstract: 本发明公开了一种面向网络靶场的多目标优化虚拟机部署方法,简称MVMDNR(Multiobjective Optimized Virtual Machine Deployment Algorithms for Network Range),通过结合网络靶场虚拟机部署以场景为单位和场景间通信隔离的特点,参考蚁群算法的思想解决VMP问题,在虚拟机请求到达时,初始化控制节点集群和亲密度矩阵,各控制节点通过概率选择各虚拟机部署的位置,每轮迭代搜索后通过亲密度的增强和挥发实现正反馈,最后筛选出使得靶场物理机的负载失衡度和虚拟机的通信开销综合最小的方案。本发明提出的多目标优化虚拟机部署算法相比于随机算法和最佳适应下降算法,在减少虚拟机通信开销和物理机资源的负载失衡度上具有显著优势。

    一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112357877B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110036056.2

    申请日:2021-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法,压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到,钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO2,退火气氛为纯O2、O2/H2O混合气、O2/NO混合气、O2/HCl混合气、O2/CHF3混合气的一种,并通过退火处理消除光刻形成压敏电阻时由于过刻蚀对埋氧层表面造成的损伤,并抑制钝化层的体与界面缺陷及其俘获电荷引起的传感器稳定性问题。在压敏电阻下方正对的埋氧层和体硅层处开孔形成沟槽,有助于抑制因掺杂杂质进入压敏电阻下方的埋氧层所产生的缺陷,并有助于提高传感器的灵敏度。

    一种面向网络靶场的多目标优化虚拟机部署方法

    公开(公告)号:CN110362380A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910519585.0

    申请日:2019-06-17

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 黄杰 张鹏飞

    Abstract: 本发明公开了一种面向网络靶场的多目标优化虚拟机部署方法,简称MVMDNR(Multiobjective Optimized Virtual Machine Deployment Algorithms for Network Range),通过结合网络靶场虚拟机部署以场景为单位和场景间通信隔离的特点,参考蚁群算法的思想解决VMP问题,在虚拟机请求到达时,初始化控制节点集群和亲密度矩阵,各控制节点通过概率选择各虚拟机部署的位置,每轮迭代搜索后通过亲密度的增强和挥发实现正反馈,最后筛选出使得靶场物理机的负载失衡度和虚拟机的通信开销综合最小的方案。本发明提出的多目标优化虚拟机部署算法相比于随机算法和最佳适应下降算法,在减少虚拟机通信开销和物理机资源的负载失衡度上具有显著优势。

    一种双电桥结构MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114061797B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202111361809.3

    申请日:2021-11-17

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种双电桥结构MEMS压阻式压力传感器及其制备方法,在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备四个压敏电阻,上表面和下表面的各压敏电阻分别正对设置,且相互正交排布;同一表面的四个压敏电阻分别正对敏感薄膜各边缘的中心位置。敏感薄膜下表面的四个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接,金属引线上设有绝缘层。上表面和下表面两组压敏电阻形成两组惠斯通电桥。本发明在不减小传感器的敏感薄膜厚度以及不增加传感器敏感薄膜的面积的前提下,有效提升了传感器的灵敏度,有助于改善传感器的可靠性能,提高传感器的集成度,降低传感器的面积和成本,简洁的布线进一步保证传感器的精度不受影响。

    一种微型全固态锂离子电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113903982B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202111171771.3

    申请日:2021-10-08

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种微型全固态锂离子电池及制备方法,结构包括依次层叠设置的负极集流体、负极层、固态电解质层、正极层、正极集流体层;还包括包裹整体层叠结构的钝化层,在钝化层外侧还包裹柔性防水保护层;还包括从外侧连通到正极集流体层表面中央的正极引出孔,以及从外侧连通到负极集流体表面中央的负极引出孔。本发明通过去除电池基底并制作柔性防水保护层,在有效释放电池充放电过程中由于体积膨胀产生的应力的同时还提升电池的能量密度,并且对电池进行良好的密封以改善其可靠性和使用寿命。

    一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器

    公开(公告)号:CN113701927B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111251494.7

    申请日:2021-10-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器,包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层,电荷存储层设置在隧穿层的上表面,并位于压敏电阻的上方,且部分覆盖压敏电阻;阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面;压阻电极设置在阻挡层的上表面,并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接;调控电极设置在阻挡层的上表面,与压阻电极相间隔,并部分覆盖电荷存储层。其中,压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构,该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值,从而实现压敏电阻的有效修正与补偿。

    一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112357877A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN202110036056.2

    申请日:2021-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法,压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到,钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO2,退火气氛为纯O2、O2/H2O混合气、O2/NO混合气、O2/HCl混合气、O2/CHF3混合气的一种,并通过退火处理消除光刻形成压敏电阻时由于过刻蚀对埋氧层表面造成的损伤,并抑制钝化层的体与界面缺陷及其俘获电荷引起的传感器稳定性问题。在压敏电阻下方正对的埋氧层和体硅层处开孔形成沟槽,有助于抑制因掺杂杂质进入压敏电阻下方的埋氧层所产生的缺陷,并有助于提高传感器的灵敏度。

    一种MEMS热保护器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112271105A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011537051.X

    申请日:2020-12-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS热保护器及其制备方法,包括第一衬底;第二衬底;在第一衬底上表面形成的开放腔、悬臂梁、第一绝缘层和第二绝缘层;第一电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上,且位于悬臂梁的中部;第二电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上,且位于悬臂梁的悬空端;第三电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上,且位于悬臂梁的固定端。本发明的MEMS热保护器,通过使用MEMS体加工和键合工艺,以及设置开放腔、悬臂梁、第一电极、第二电极和第三电极,从而设计出一种具有实时在线质量监测、额定电流可调控的MEMS热保护器,以提高电路或系统的可靠性。

Patent Agency Ranking