公开(公告)号：CN117936646A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410109961.X

申请日：2024-01-26

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 田志荣 ,  王晓强 ,  李明亚 ,  高文博 ,  吴蕾

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜及其制备方法，属于CIGS薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。本发明采用了单靶溅射法，使用了高效安全的固态硒源硒化装置，所选靶材为1号靶材和2号靶材，通过磁控溅射方法，采用CuInGaSe四元靶材探究以得出较好的工艺参数范围和最佳工艺参数，结合少量硒粉硒化工艺实现薄膜厚度方向Cu、Se元素的梯度分布进而构筑出特定微型能带结构，并且使用了变靶材成分和变溅射功率两种方式来实现CIGS吸收层能带调控。所制得的CIGS薄膜晶粒尺寸大，表面平整致密，呈富铜贫硒的元素比例状态；方块电阻小，载流子迁移率大，载流子浓度大，吸光性好，光电性能优良。

公开(公告)号：CN114823945A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210450327.3

申请日：2022-04-27

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 张响 ,  王晓强 ,  林必堉 ,  孙志华 ,  申富升 ,  吕航

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明的金属/钛掺杂氧化钨肖特基结的探测器结构及制备方法，涉及光电探测器制作领域。具体将掺氟氧化锡(FTO)导电玻璃作为衬底；利用磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底一侧表面沉积钛掺杂氧化钨层；放入马弗炉中进行高温热处理，氧化钨晶化使表面产生内陷结构；利用磁控溅射或真空蒸镀的方法在热处理后的附有钛掺杂氧化钨层的FTO导电玻璃表面沉积金属。内陷结构使最终器件金属表面具有等离子体激元效应，以增强器件对入射光的吸收、转换效率和实现响应光谱的拓宽，突破传统无机材料探测器禁带宽度的限制，进而获得高性能的宽光谱光电探测器。

公开(公告)号：CN113249091A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110545978.6

申请日：2021-05-19

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 吕鑫雨 ,  谢亚东 ,  薛宁 ,  李明亚 ,  王晓强

IPC: C09K3/00 ,  C09K5/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D5/32

Abstract: 本发明的一种ATO包覆铯钨青铜复合纳米粉体及其制备方法，其中包覆层为掺锑二氧化锡ATO，复合纳米粉体的颗粒包括铯钨青铜内核和包覆所述铯钨青铜的掺锑二氧化锡ATO外壳，所述铯钨青铜内核的通式为CsxWO3，其中0.1≤x≤0.33。制备过程中通过在铯钨青铜表面包覆化学性质稳定的ATO，隔绝铯钨青铜内核与外界的水或氧气接触，提高了铯钨青铜的化学稳定性，并保持较好分散性，同时将ATO和铯钨青铜纳米粉CsxWO3的近红外吸收性能进行综合，在不影响铯钨青铜内核可见光高透过率及红外光高阻隔率性能基础上实现进一步提升，大幅优于现有红外阻隔涂料。

公开(公告)号：CN110102457A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910315689.X

申请日：2019-04-19

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 吴智升 ,  李明亚 ,  王晓强 ,  赵汪卓 ,  何天翔

IPC: B05D7/24 ,  B05D7/00 ,  B05D3/10

Abstract: 一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，包括如下步骤：(1)制备浅蓝色浑浊液；(2)制备前驱体溶液；(3)对前驱体溶液进行干燥、研磨、分散；(4)衬底的处理；(5)制备纳米晶电致变色薄膜。本发明的有益效果是：本发明的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色器件的方法，用液相沉淀的方法制备出纳米尺寸的氧化镍纳米晶，纳米晶尺寸小，活性高，比表面积大，有利于离子的脱出和嵌入，提高传输效率，从而提高变色效率。制备得到的纳米晶只需要很少的量即可制备出大量的电致变色薄膜，有利于降低生产成本，是一种简单便捷且成本低廉的制备大面积电致变色层的方法。

公开(公告)号：CN102881459A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210388625.0

申请日：2012-10-11

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 李明亚 ,  王晓强

IPC: H01G9/048 ,  H01G9/14 ,  H01G9/20 ,  H01L51/42 ,  H01L51/56

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池导电基底及其制备方法。所述太阳能电池导电基底依次由透明衬底、附于透明衬底上的金属网格和涂覆于透明衬底上且包覆金属网格的导电层组成。所述太阳能电池导电基底可用于有机太阳能电池和染料敏化太阳能电池。所述太阳能电池导电基底的制备方法为：在透明衬底上制备金属网格；然后在处理后的透明衬底上制备导电层，即得到所述太阳能电池导电基底。所述太阳能电池导电基底有效地解决了金属与电解质的反应以及电池内部短路的问题，提高了纳米晶氧化物光阳极薄膜的有效面积；增加了光生电子的传输速率，有效地减小了暗电流发生的可能性，提高了电池的光电转换功率。