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发明公开
一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法无效

公开(公告)号：CN110102457A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910315689.X

申请日：2019-04-19

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 吴智升 , 李明亚 , 王晓强 , 赵汪卓 , 何天翔

IPC: B05D7/24 , B05D7/00 , B05D3/10

Abstract: 一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色薄膜的方法，包括如下步骤：(1)制备浅蓝色浑浊液；(2)制备前驱体溶液；(3)对前驱体溶液进行干燥、研磨、分散；(4)衬底的处理；(5)制备纳米晶电致变色薄膜。本发明的有益效果是：本发明的一种在低温下制备氧化镍纳米晶电致变色器件的方法，用液相沉淀的方法制备出纳米尺寸的氧化镍纳米晶，纳米晶尺寸小，活性高，比表面积大，有利于离子的脱出和嵌入，提高传输效率，从而提高变色效率。制备得到的纳米晶只需要很少的量即可制备出大量的电致变色薄膜，有利于降低生产成本，是一种简单便捷且成本低廉的制备大面积电致变色层的方法。

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