公开(公告)号：CN117936646A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410109961.X

申请日：2024-01-26

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 田志荣 ,  王晓强 ,  李明亚 ,  高文博 ,  吴蕾

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜及其制备方法，属于CIGS薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。本发明采用了单靶溅射法，使用了高效安全的固态硒源硒化装置，所选靶材为1号靶材和2号靶材，通过磁控溅射方法，采用CuInGaSe四元靶材探究以得出较好的工艺参数范围和最佳工艺参数，结合少量硒粉硒化工艺实现薄膜厚度方向Cu、Se元素的梯度分布进而构筑出特定微型能带结构，并且使用了变靶材成分和变溅射功率两种方式来实现CIGS吸收层能带调控。所制得的CIGS薄膜晶粒尺寸大，表面平整致密，呈富铜贫硒的元素比例状态；方块电阻小，载流子迁移率大，载流子浓度大，吸光性好，光电性能优良。