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公开(公告)号：CN102738041A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101424.8
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01L21/67103
Abstract: 一种上部电极板以及基板处理装置，提供一种能够从开始产生等离子体起就使上部电极板的温度稳定，能够对多个晶圆实施均匀的蚀刻处理的上部电极板。在等离子体处理装置(10)中，隔着处理空间(S)与基板载置台(12)相向地配置的上部电极板(31)经由冷却板(32)与电极支承体(33)相抵接并被该电极支承体(33)支承，在与冷却板(32)相抵接的抵接面上形成传热薄片(38)。传热薄片(38)的热导率处于0.5～2.0W/m·k的范围，该传热薄片(38)的材料是在成分中包含硅的耐热性的粘合剂、橡胶，以及在粘合剂、橡胶中含有25％～60％体积的氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，该传热薄片(38)的膜厚例如是30μm～80μm，以避开上部电极板(31)的各气孔(34)的附近的规定区域的方式涂布并形成该传热薄片(38)。
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公开(公告)号：CN101740297A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910207897.4
申请日：2009-11-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C30B35/00 , B23P15/00 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32642 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及环状部件及其制造方法，根据本发明的环状部件，能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片W实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置(10)中，该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室(17)的聚焦环(24)，由在圆周方向上配设的4个单晶硅的圆弧状部件24a～24d构成，在各圆弧状部件24a～24d的上表面24a1～24d1、外侧面24a2～24d2，不出现易消耗的单晶硅的结晶面，例如密勒指数为{100}的结晶面。
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公开(公告)号：CN101207062A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710181964.0
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。
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公开(公告)号：CN101207061A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710154402.7
申请日：2007-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣，而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成，其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521)，并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738041B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210101424.8
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01L21/67103
Abstract: 一种上部电极板以及基板处理装置，提供一种能够从开始产生等离子体起就使上部电极板的温度稳定，能够对多个晶圆实施均匀的蚀刻处理的上部电极板。在等离子体处理装置(10)中，隔着处理空间(S)与基板载置台(12)相向地配置的上部电极板(31)经由冷却板(32)与电极支承体(33)相抵接并被该电极支承体(33)支承，在与冷却板(32)相抵接的抵接面上形成传热薄片(38)。传热薄片(38)的热导率处于0.5～2.0W/m·k的范围，该传热薄片(38)的材料是在成分中包含硅的耐热性的粘合剂、橡胶，以及在粘合剂、橡胶中含有25％～60％体积的氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，该传热薄片(38)的膜厚例如是30μm～80μm，以避开上部电极板(31)的各气孔(34)的附近的规定区域的方式涂布并形成该传热薄片(38)。
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公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN101173345B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200710167281.X
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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公开(公告)号：CN102194634A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050935.7
申请日：2011-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67248 , H01L21/68735
Abstract: 本发明提供一种具有适合等离子体处理的膜厚的导热片的聚焦环。在等离子体处理装置(10)中，聚焦环(25)包围在具有制冷剂室(26)的基座(12)上载置的晶片W的外周，并具备与基座(12)接触的基座接触面(40)、和形成在该基座接触面(40)上的导热片(38)；导热片(38)的热传导率在0.5～5.0W/m·K的范围内，导热片(38)包含成分中含有硅的耐热性的粘合剂和橡胶，在该粘合剂和橡胶中以25～60容积％含有混入该粘合剂和橡胶的氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷填充剂，导热片(38)的膜厚是40μm以上且不足100μm。
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公开(公告)号：CN101207061B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710154402.7
申请日：2007-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣，而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成，其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521)，并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。
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