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公开(公告)号：CN101263582A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033770.X
申请日：2006-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高明辉
IPC: H01L21/302 , C09K13/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种用于各向异性干法刻透掺杂硅层的工艺和系统。该工艺的化学物质包括SF6和氟碳化合物气体。例如，氟碳化合物气体可包括CxFy，其中x和y是大于或等于1的整数，例如C4F8。
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公开(公告)号：CN1910743A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002253.1
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：CN1855385A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610082628.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Cl2和HBr的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层(103)等掩膜层在附图(a)的硅基板(101)上形成槽(104a、104b)，如附图(b)所示。然后，通过调整对基板配置侧的对置电极施加的高频电功率，来控制槽(104a、104b)的侧壁(105a、105b)的形状。这样即使在槽的宽度不同的情况下，也能够将槽的形状形成为希望的形状。
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公开(公告)号：CN1518759A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02812493.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/76229 , Y10S438/978
Abstract: 在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Cl2和HBr的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层(103)等掩膜层在附图(a)的硅基板(101)上形成槽(104a、104b)，如附图(b)所示。然后，通过调整对基板配置侧的对置电极施加的高频电功率，来控制槽(104a、104b)的侧壁(105a、105b)的形状。这样即使在槽的宽度不同的情况下，也能够将槽的形状形成为希望的形状。
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公开(公告)号：CN119654598A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380046446.5
申请日：2023-07-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 哈马德·哈吉巴巴埃纳贾法巴迪 , 高明辉
IPC: G03F7/38 , G03F7/36 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 一种用于处理衬底的方法包括在该衬底上形成金属氧化物抗蚀剂，将该金属氧化物抗蚀剂暴露于极紫外光图案，以及使选择性气体从该金属氧化物抗蚀剂上流过。该选择性气体增加了该暴露的金属氧化物抗蚀剂对显影气体的选择性。该方法进一步包括使该显影气体从处理室中的该金属氧化物抗蚀剂上流过，以及使用该金属氧化物抗蚀剂的剩余部分作为掩模来蚀刻该衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100403494C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200610082628.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Cl2和HBr的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层(103)等掩膜层在附图(a)的硅基板(101)上形成槽(104a、104b)，如附图(b)所示。然后，通过调整对基板配置侧的对置电极施加的高频电功率，来控制槽(104a、104b)的侧壁(105a、105b)的形状。这样即使在槽的宽度不同的情况下，也能够将槽的形状形成为希望的形状。
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公开(公告)号：CN1535473A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02808384.9
申请日：2002-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
Abstract: 使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
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公开(公告)号：CN119698575A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059529.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 哈马德·哈吉巴巴埃纳贾法巴迪 , 高明辉 , 蔡宇浩 , 谢尔盖·沃罗宁
IPC: G03F7/36 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 一种处理基板的方法包含接收基板，基板包含光致抗蚀剂膜，光致抗蚀剂膜包含曝光以及未曝光部分；在处理腔室中用显影气体蚀刻部分光致抗蚀剂膜的未曝光部分，以留下未曝光部分的残留部分；以及用吹扫气体将显影气体吹扫出处理腔室。在吹扫出显影气体之后，用显影气体蚀刻未曝光部分的残留部分。使用光致抗蚀剂膜的曝光部分作为掩模来蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN111727490A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980013826.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 提供了一种工艺，其中，形成了图案化层、中间层以及要根据该图案化层的图案来蚀刻的第一层。该中间层可以是可以通过基于热的去除工艺来去除的热分解层。在蚀刻该第一层之后，使用基于热的去除工艺可以允许在不改变该第一层的情况下从衬底去除该中间层。在一个实施例中，该第一层可以是记忆层，并且该工艺可以是多重图案化工艺。
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公开(公告)号：CN111312588A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911257764.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
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