公开(公告)号：CN101313390B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200680043791.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  汤浅珠树 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供一种微波导入装置，具备：产生规定频率的微波的微波发生器、将上述微波转换为规定振动模式的模式转换器、朝向规定空间而设置的平面天线构件、连结上述模式转换器和上述平面天线构件并传播上述微波的同轴波导管，其特征是，上述同轴波导管的中心导体形成为筒状，上述中心导体的内径(D1)在第一规定值以上，上述同轴波导管的外侧导体也形成为筒状，上述外侧导体的内径的半径(r1)与上述中心导体的外径的半径(r2)之比(r1/r2)被维持为第二规定值，上述外侧导体的内径(D2)在第三规定值以下。

公开(公告)号：CN101675279A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014944.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久

IPC: F16K3/18 ,  F16K3/00 ,  F16K3/02 ,  F16K3/04 ,  F16K27/04 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K3/06

Abstract: 本发明公开了一种设置在能够使内部保持减压的腔体和对该腔体内进行排气的排气装置之间的阀。该阀具有：包含第一开口和第二开口的第一阀主体，该第一开口和第二开口容许气体在腔体和排气装置之间连通；封闭用阀体，配置在第一阀主体内，与第一阀主体的第二开口离合，以对该第二开口进行开闭；密封部件，设置在封闭用阀体上，在封闭用阀体将第一阀主体的第二开口关闭时，将该第二开口密封；阀退避部，设置在第一阀主体的从第二开口分离的内壁部，在封闭用阀体从该第二开口分离而移动时，从第一阀主体的内部空间对密封部件进行遮蔽；和第一转动轴，转动封闭用阀体，使之能够配置在第一阀主体的第二开口和阀退避部中的一方。

公开(公告)号：CN101647110A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880010423.4

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/32 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/951

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)形成具有碳和氟的气体的等离子体，和使用等离子体在衬底上形成具有氟掺杂碳膜的内绝缘膜；(b)在所述内绝缘膜上形成金属膜；(c)根据图案蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；(d)通过利用所述硬掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜以在所述氟掺杂碳膜中形成凹陷部分；(e)在所述衬底上形成配线材料膜，以利用所述配线材料填充所述凹陷部分；(f)将在所述氟掺杂碳膜上过量部分的所述配线材料和所述硬掩模移除，以暴露出所述氟掺杂碳膜的表面；和(g)移除在所述氟掺杂膜表面上形成的氧化物。

公开(公告)号：CN101606234A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004425.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  宫谷光太郎 ,  堀寿靖 ,  广瀬繁和

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，是利用等离子体对在基板上形成的添加氟的碳膜进行蚀刻的蚀刻方法，其具有：利用含有氧的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第一阶段、利用含有氟的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第二阶段。

公开(公告)号：CN1759470A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006198.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  小谷光司

IPC: H01L21/205 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67109

Abstract: 设置第一通道(16)和与第一通道分离的第二通道(19)，且流经第二通道(19)的第二冷却水(18)和第一冷却水(15)进行热交换，其中所述第一通道(16)利用循环的第一冷却水(15)冷却温度调节对象。不需要将第一冷却水(15)储存在一定容量的容器中，且流经第一通道(16)中的冷却器相当部分的的第一冷却水(15)的几乎所有热量被第二冷却水(18)吸收。由此可对温度调节对象的负载变动迅速地进行响应，从而可在提高温度控制的精度的同时，减少能量浪费。