公开(公告)号：CN100336176C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03816376.4

申请日：2003-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  王文凌 ,  米川司 ,  池内俊之 ,  佐藤享

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20 ,  Y10T436/25

Abstract: 本发明涉及热处理方法，该热处理方法具有：利用多个加热单元分别加热反应容器内的热处理气氛的多个区域的加热工序；和将处理气体导入反应容器内而在多个基板的表面形成薄膜的工序，该热处理工序组包括：使用处理气体的消耗量比制品基板少的多个第一基板的第一热处理工序、在每个区域中测定薄膜的膜厚的第一测定工序、和以该各个膜厚变为目标值的方式，设定加热单元的各个的温度设定值的第一设定工序、对处理气体的消耗量比第一基板多的多个第二基板使用所述温度设定值的第二热处理工序、在多个区域的每一个测定在所述第二基板的表面上形成的薄膜的膜厚的第二测定工序、和校正多个加热单元的各个的所述温度设定值的第二校正工序、和对多个制品基板使用所述校正过的各温度设定值而实施所述热处理工序组的第三热处理工序。

公开(公告)号：CN306630276S

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202030693774.3

申请日：2020-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 永田朋幸 ,  池内俊之 ,  木镰英司

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：用于半导体制造装置的反应管。
2.本外观设计产品的用途：在半导体制造的成膜过程中，设置在成膜装置内并使产品晶圆与气体反应，如各设计的使用状态参考图所示。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视图。
5.指定设计1为基本设计。