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公开(公告)号：CN111668085B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010502543.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
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公开(公告)号：CN109509694B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201811073526.7
申请日：2018-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN113363129A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110200407.9
申请日：2021-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内，且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND电位。而且，等离子体处理装置至少在半导体部件与供电部接触的接触面设置有导电部。根据本发明，能够抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生。
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公开(公告)号：CN108987233B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810558220.4
申请日：2018-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
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公开(公告)号：CN111095498A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004510.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，其是用于载置被实施等离子体处理的基板的载置台，其中，该载置台具有：静电卡盘，其吸附被配置于所述基板的周边的边缘环和该基板；和供给孔，其用于向所述静电卡盘与所述边缘环之间供给热介质，在所述边缘环和所述载置台中的至少任一者设置有槽，所述槽不与所述供给孔连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102647846B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210033958.1
申请日：2012-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松山昇一郎
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提高等离子体的均匀性。本发明提供一种平行平板型的等离子体处理装置用的上部电极(105)，包括：由电介质形成的基材(105a)；和导电体层(110)，在上述基材(105a)的表面中，至少在上述等离子体处理装置的下部电极(210)侧的表面的一部分上形成，上述导电体层(110)以上述下部电极(210)侧的表面的外侧比内侧密的方式具有疏密的图案。
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公开(公告)号：CN101692423B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910008930.0
申请日：2009-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/027 , H05H1/24 , G03F1/16
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表而以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案，以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的SiN层(104)或者氧化硅层进行蚀刻，处理气体至少含有CF3I气体，向载置被处理基板的下部电极施加具有13.56MHz以下的频率的高频电力。
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公开(公告)号：CN100501965C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710140388.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
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公开(公告)号：CN101123201A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140388.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
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公开(公告)号：CN101123200A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140387.0
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置，其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性，能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括：兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件；电介体层(22)，以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀；和静电卡盘，层积在电介体层(22)上，以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧，分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。
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