公开(公告)号：CN102725438B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201180007205.7

申请日：2011-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  多贺敏

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

Abstract: 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。

公开(公告)号：CN101802976B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880106639.0

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏 ,  山本薰

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。

公开(公告)号：CN101978477A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110270.5

申请日：2009-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  水泽宁 ,  多贺敏 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。

公开(公告)号：CN101772590A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880100433.7

申请日：2008-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4481 ,  Y10T137/8158 ,  Y10T137/8376

Abstract: 原料气体供给系统(6)，对成为减压环境的气体使用系统(2)供给原料气体。系统具有：存留液体原料或者固体原料的原料罐(40)、一端与原料罐连接而另一端与气体使用系统连接的原料通路(46)、向原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构(54)、在原料通路的中途设置的开闭阀(48，50)、加热原料通路以及开闭阀的加热器(64)、控制加热器的温度控制部(92)。原料通路以及上述开闭阀使用具有良好导热性的金属材料形成。