公开(公告)号：CN111952140B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202010376530.1

申请日：2020-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大 ,  广瀬润

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供基片载置台和等离子体处理装置。基片载置台在等离子体处理腔室中使用，其包括：具有销用贯通孔的主体，其中销用贯通孔具有带内螺纹的内壁；具有根端部分、中间部分和前端部分的升降销，升降销被插入销用贯通孔，中间部分带有外螺纹，带外螺纹的中间部分能够被拧入带内螺纹的内壁；以及使升降销相对于主体垂直地移动的移动机构。本发明能够抑制使用等离子体处理被处理体时发生的异常放电。

公开(公告)号：CN109872939B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201811434243.0

申请日：2018-11-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种支承组件和支承组件的组装方法。以简易的结构抑制异常放电，同时实现向聚焦环的电压施加。在一技术方案中，提供支承组件。支承组件具备静电卡盘、下部电极、至少1个导电构件、以及绝缘构件。下部电极具有：卡盘支承面，其支承静电卡盘；和环支承面，其以包围卡盘支承面的方式形成，用于支承聚焦环。在环支承面上形成有接触电极。至少1个导电构件将接触电极和聚焦环电连接。绝缘构件在包围至少1个导电构件的状态下介于下部电极的环支承面与聚焦环之间。

公开(公告)号：CN110010439B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201811572930.9

申请日：2018-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广瀬润 ,  上田雄大

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。目的在于提高等离子体蚀刻装置的生产率。等离子体蚀刻装置具有：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极以并行的方式相向的上部电极；处理气体供给部，其向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；高频供电部，其向所述上部电极或者所述下部电极施加用于由所述处理气体生成等离子体的高频；聚焦环，其覆盖所述基板的周边部；直流电源，其输出用于施加于所述聚焦环的直流电压；加热部，其加热所述聚焦环；以及温度测定部，其测定所述聚焦环的温度。

公开(公告)号：CN111801778A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201980016718.0

申请日：2019-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大 ,  广濑润 ,  手塚一幸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定，或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。

公开(公告)号：CN111293068A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911197829.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  G01N7/00

Abstract: 一个例示性实施方式所涉及的基板支撑器具备基座、静电卡盘及粘合剂。粘合剂设置于基座的上表面与静电卡盘的下表面之间。基座、粘合剂及静电卡盘提供用于向静电卡盘与基板之间供给导热气体的供给路。在基座的上表面划分形成有一个以上的槽。一个以上的槽在基座的上表面内比供给路更远离该上表面的中心。粘合剂以覆盖一个以上的槽的上端开口的方式设置。能够经由供给路或与该供给路不同的流路向一个以上的槽供给气体。基板支撑器还具备压力传感器。压力传感器设置成测定一个以上的槽中的压力。

公开(公告)号：CN108807123A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810384258.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大 ,  永井健治

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载置台(7)设于第1载置台(2)的外周，并载置聚焦环(5)，且在内部设有制冷剂流路(7d)和加热器(9a)。升降机构(120)使第2载置台(7)升降。

公开(公告)号：CN108183058A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711284031.4

申请日：2017-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种载置台，其削减妨碍从聚焦环向基座导热的孔以改善聚焦环的温度不均。载置台包括：用于载置被处理体的基座；以包围载置被处理体的区域的方式设置于基座上的聚焦环；形成有贯通孔的连结部件，其被插入在基座上的与聚焦环的下部对应的区域形成的插入孔，将基座与基座的下方的部件连结；和升降销，其被插入连结部件的贯通孔以从插入孔可突出的方式设置在基座，从插入孔突出而使聚焦环上升。

公开(公告)号：CN101207062A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710181964.0

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  上田雄大 ,  小林义之 ,  大桥薰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/68757

Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。

公开(公告)号：CN101207061A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710154402.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田雄大 ,  小林义之 ,  大桥薰

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣，而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成，其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521)，并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。

公开(公告)号：CN3348516D

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03310592.8

申请日：2003-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 上田雄大

Abstract: 1.因仰视图、左视图分别与俯视图、右视