公开(公告)号：CN116769402A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310691346.X

申请日：2023-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 蔡健聪 ,  徐闰 ,  王文贞 ,  潘秋涛 ,  赖紫怡 ,  王豪 ,  陈斐雪 ,  赖建明

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明公开了一种抛光液及CH3NH3PbI3晶体抛光方法，其中，抛光液，包括以下成分：按质量百分比计，乙醇：20％‑40％；硅油：40％‑60％；金刚石颗粒：1％‑20％；碱pH调节剂：0.1％‑0.5％；分散剂：0.1％‑0.5％；去离子水：1％‑2％。基于抛光液的CH3NH3PbI3晶体抛光方法，利用该抛光液可有效均衡CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光过程中的机械作业和化学反应作用，使得CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光处理过程高效、稳定，并大幅提高了CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光的质量，获得优质的抛光表面，提高晶体的物理、电学性能，实用性好。

公开(公告)号：CN113061971B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110214026.6

申请日：2021-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  王文贞 ,  景圣淇 ,  戚焕震 ,  曹港 ,  徐飞 ,  黄健 ,  赖建明 ,  李冬梅 ,  王林军

IPC: H01L31/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/54 ,  C30B7/04

Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。

公开(公告)号：CN101323971A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810040639.7

申请日：2008-07-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  唐可 ,  黄健 ,  赖建明 ,  管玉兰 ,  夏义本

IPC: C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在氢气和丙酮的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；再在自支撑金刚石膜上用直流磁控溅射法制备ZnO薄膜，先在Ar、O2气氛中溅射沉积ZnO缓冲层，然后进行ZnO主层的沉积。本发明制作工艺简化，成本低，有利于促进高质量ZnO薄膜器件的大规模应用。ZnO薄膜晶粒尺寸小，薄膜的晶体质量高，表面粗糙度低。