-
公开(公告)号：CN101931037A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010244358.0
申请日：2010-08-03
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片，包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层，该外延片基于非极性衬底；所述有源层包括多个量子阱组，所述量子阱组中包括量子阱，所述量子阱包括势垒层和势阱层，所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出，在本发明实施例中，基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强，也就不会产生强度较高的内建极化电场，从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率，进而提高了内量子效率及发光效率。
-
公开(公告)号：CN101813275A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010167595.1
申请日：2010-05-06
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/00 , F21V23/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21V5/04 , F21V17/12 , F21W131/103 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及了一种高散热性能大功率LED路灯，它包括一个由灯壳与二次光学透镜组成闭合空腔中安装一个光源组件，该光源组件由一个接通光源的电源控制模块连接一个高散热大功率LED模块构成，提高了大功率LED路灯的性能及可靠性，有利于LED道路照明的早日普及。
-
公开(公告)号：CN101430223B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
-
公开(公告)号：CN101779618A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045469.6
申请日：2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法，属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性，采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶；其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光，只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性，可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性，利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭，是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
-
公开(公告)号：CN101276868A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037354.8
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体，其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上，其中间有一层过渡层，填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面，p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面，n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上，本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷，从而达到提高出二极管的出光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276832A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037355.2
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L27/15 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺，它包括n型金pad、透明电流扩展层、填充体、基板、p型金pad、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触，连接p电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、n型金pad，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触总称发光有源层，基板上制作有一绝缘层、导电层，发光有源层通过倒装技术倒贴在基板上，填充体填充在需要做金pad正下面的发光有源层被刻蚀掉的孔里，单个尺寸芯片有四个刻蚀孔，连接p电极金属导柱内嵌在两个连接这导电层的刻蚀孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术制作在n型电极接触的上表面，n型金pad以及辅助电流扩展层通过蒸镀制作在透明电流扩展层上表面。通过氧化锌在微间距内实现芯片的串联，缩小了多芯片的尺寸，而且通过氧化锌的串联，相比于金丝串联，提高了可靠性。
-
公开(公告)号：CN101958236B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN101956233B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN102623619A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210113628.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件，属半导体器件领域。其在IC芯片封装生产线上对LED芯片进行封装：利用硅片作承载体，采用“键合”方式将LED芯片直接固定在硅片上；用液态玻璃在硅片表面及各个LED芯片之间形成绝缘层；对硅片置有LED芯片的一面进行抛光；采用“镀膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制备连接电极；对硅片进行切割，得到LED发光器件或LED发光器件模块产品。其降低了LED封装成本，为现有集成电路IC芯片封装生产线的应用和使用扩展了一个全新的领域，特别适于大功率LED发光器件的生产，在相同外部环境条件或电源功率的情况下可输出更大的光功率。可广泛用于LED发光器件的生产/制造领域。
-
公开(公告)号：CN102322584A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110269255.4
申请日：2011-09-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 莎益博设计系统商贸(上海)有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种采用COB封装技术的超薄LED面光源，属照明领域。其设置一带有侧立边框状结构的灯具壳体；在两个对应的侧立边，设置LED灯条模块容纳槽；在各LED灯条模块容纳槽中，设置一个COB封装LED灯条模块；在框状结构灯具壳体所容纳/包含的空间内，嵌入/设置一个导光板；所述的框状结构灯具壳体、COB封装LED灯条模块和导光板，组合成一个LED面光源。其采用一体化的COB多芯片封装技术，很好地将器件的封装形式和灯具壳体结合起来，实现芯片直接导热到基板再到灯壳的导热路径，热阻明显减小，可达到更好的散热效果，更有效地降低器件结温，延长灯具的使用寿命，通过发光芯片的单列芯片的排列方式，其LED面光源灯具的厚度尺寸可大大减小。可广泛用于各种室内、外照明领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.029 seconds)
