公开(公告)号：CN116420217A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202080105740.5

申请日：2020-11-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L21/338

Abstract: 本公开所涉及的晶体管具备：半导体基板；源极焊盘，设置于半导体基板的上表面；多个源极电极，设置于半导体基板的上表面，具有与源极焊盘连接的第一端和与源极焊盘相反的一侧的第二端，并沿与半导体基板的上表面平行的排列方向排列；多个漏极电极，设置于半导体基板的上表面，并在排列方向上与多个源极电极交替配置；栅极电极，设置于半导体基板的上表面；以及第一配线，将多个源极电极中的设置于半导体基板的在排列方向上的中央部的多个中央部电极的第二端连接起来，不与多个源极电极中的除多个中央部电极以外的源极电极的第二端连接。

公开(公告)号：CN114902398A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080091170.9

申请日：2020-01-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L21/822

Abstract: 本发明涉及高频半导体装置。以往的具备输入二倍波匹配电路的高频半导体装置存在产生增益降低的课题。本发明的高频半导体装置(100)在设置于半导体基板(1)上表面的一个输入二倍波匹配电路(19)连接有邻接的2个单位晶体管单元(7)、(8)。输入二倍波匹配电路(19)具有第一电容(13)、第一电感器(14)、第二电容(15)以及第二电感器(16)。第一电容(13)以及第一电感器(14)在基波的频率下谐振，从2个单位晶体管单元(7)、(8)的输入电极看入的阻抗在二倍波的频率下为短路。

公开(公告)号：CN112753104A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201880095573.3

申请日：2018-10-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L29/41

Abstract: 本发明的场效应晶体管在半导体基板(1、2)的表面形成有栅极电极(3)、源极电极(4)以及漏极电极(5)。绝缘膜(6)在栅极电极(3)与漏极电极(5)之间的区域覆盖半导体基板(1、2)的表面。源极场板(7)形成于绝缘膜(6)之上，未与漏极电极(5)连接。二极管(8)的阴极与源极场板(7)连接，阳极为恒定电位。

公开(公告)号：CN101667829A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910159440.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介 ,  后藤清毅 ,  塚原良洋 ,  金谷康

IPC: H03L7/00 ,  H04B1/00

CPC classification number: H03L7/099 ,  H03B5/1847

Abstract: 实现低相位噪声的电压控制振荡器。在具备在包含变容二极管(2)和控制电压端子(3)的可变谐振器的电压控制振荡器中，对该可变谐振器并联连接具有最长也是在高次谐波信号的1/4波长的奇数倍上相加高次谐波信号的1/16波长的长度而最短也是从高次谐波信号的1/4波长的奇数倍中减去高次谐波信号的1/16波长的长度的前端开路短截线(5)。通过该结构，在基波频率中，基波信号向前端开路短截线(5)和变容二极管(2)这两方传播，能实现高的Q值，而在高次谐波频率中，前端开路短截线(5)具有短路负载，高次谐波信号全部向前端开路短截线(5)传播，因此抑制高次谐波信号造成的控制电压(Vt)的变动。

公开(公告)号：CN101540589A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810173373.3

申请日：2008-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤清毅 ,  井上晃 ,  金谷康 ,  渡边伸介

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03F2200/237 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/429 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。