公开(公告)号：CN1365151A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01133841.5

申请日：2001-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明的目的是在内装适用于输出晶体管保护的消弧二极管的半导体集成电路装置中对减小基板的漏电流并大幅度地提高正向电流容量的二极管元件进行高效率的集成化。在该半导体集成电路装置中,在基板24上层叠2层外延层25、26,并由P+型分离区域27将其在电气上分离为3个岛状区域28、29、30。在该第1岛状区域28上形成二极管元件21,并与N+型负极导出区域54重叠地形成N+型阱区39。按照这种结构,通过减小PN结的N型区域的电阻值而使正向电压(VBEF)降低,可以大幅度地提高正向的电流(If)容量。

公开(公告)号：CN1312772C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02159820.7

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子智 ,  大古田敏幸 ,  名野隆夫

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/78 ,  G05F1/10

CPC classification number: H01L27/0921 ,  H01L27/0623 ,  H02M3/07 ,  H02M3/073

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和外延硅层51B，在外延硅层51B中设置P型阱区域52A、52B。设有与P型阱区域的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55之下相接并将P型阱区域52A、52B自P型单晶硅基板50电分离的N+型埋入层56，在P型阱区域52A、52B内各自设置MOS晶体管，并将MOS晶体管的漏极层D和P型阱区域52A、52B分别电连接。

公开(公告)号：CN1260815C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02159818.5

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子智 ,  大古田敏幸 ,  名野隆夫

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0921

Abstract: 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅衬底50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅衬底50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1614783A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410089757.9

申请日：2004-11-05

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 谷口敏光 ,  大古田敏幸

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C17/16 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11226

Abstract: 一种可由用户方写入数字数据的ROM。在各存储晶体管上交替多个层积绝缘层、多个金属层(包含作为最上层的金属层的位线BL)的ROM的存储单元阵列MA中，在设置于第一层间绝缘层18的第一接触孔FC2内的W(钨)插塞上形成绝缘层INS。并且，本发明根据是否由从位线BL施加的规定的写入电压(高电压)对绝缘层INS进行绝缘破坏来向各存储晶体管写入数字数据“1”或“0”。

公开(公告)号：CN1435891A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03101924.2

申请日：2003-01-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  大古田敏幸

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/105

Abstract: 在具有纵向PNP晶体管和光电二极管的现有的光半导体集成电路装置中，因为同一衬底上形成特性不同的两个元件，所以很难同时提高两者的特性。在本发明的具有纵向PNP晶体管(21)和光电二极管(22)的光半导体集成电路装置中，通过非掺杂层叠了第一和第二外延层(24)、(25)。因此，在光电二极管中，能大幅度增加耗尽层形成区域，能实现高速响应。而在纵向PNP(21)晶体管中，用N+型的扩散区域(38)包围了晶体管(21)的形成区域。因此，能大幅度提高纵向PNP晶体管(21)的耐压性。

公开(公告)号：CN1428862A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02159819.3

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子智 ,  大古田敏幸 ,  名野隆夫

IPC: H01L27/00 ,  G05F1/10

CPC classification number: H02M3/073 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0928 ,  H02M2003/075 ,  H02M2003/078

Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51、在该外延硅层51宁间隔形成的P型阱区域52A、52B、这些P型阱区域52A、52B间形成的P型下分离层58及P型上分离层59。而且，在P型阱区域52A内形成电荷转送用晶体管M2，在P型阱区域52B内形成电荷转送用晶体管M3。P型单晶硅基板50被偏置为接地电位或负的电位。

公开(公告)号：CN1428860A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02159814.2

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子智 ,  大古田敏幸 ,  名野隆夫

IPC: H01L27/00 ,  G05F1/10

CPC classification number: H01L27/0218 ,  H01L27/0623 ,  H02M3/073

Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现用于该装置的MOS晶体管的高耐压化。其将N型外延半导体层层积于在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51A上，在外延硅层51B中间隔设置P型阱区域52A、52B。在P型阱区域52A、52B间设置P型分离层58、59。而且，设置在P型阱区域52A、52B底部相接的P+型埋入层55，在P+型埋入层之下设置N+型埋入层56，将电荷转送用晶体管分别设置在P型阱区域52A、52B中。