半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法

    公开(公告)号:CN114647146B

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202111360348.8

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法,半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物;以及溶剂,至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]#imgabs0#。

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