公开(公告)号：CN115799341A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211039311.X

申请日：2022-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  金彦起 ,  A.郑 ,  卞卿溵

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种多桥沟道场效应晶体管及制造其的方法，该多桥沟道场效应晶体管包括：基板、在基板上的第一源极/漏极图案、在基板上沿第一方向与第一源极/漏极图案分开的第二源极/漏极图案、在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间的第一沟道层和第二沟道层、在第一沟道层和第一源极/漏极图案之间的第一石墨烯阻挡物、围绕第一沟道层的栅极绝缘层、以及栅电极，栅电极围绕第一沟道层并且栅极绝缘层位于其间。

公开(公告)号：CN107359686B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN103996681B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310351533.X

申请日：2013-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  郑现钟 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.赛欧 ,  宋俔在 ,  许镇盛

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/792 ,  H01L29/47 ,  H01L29/788 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L51/05 ,  G11C11/40 ,  G11C16/04 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN107359686A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

CPC classification number: H02N1/04 ,  H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN106067739A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN103996681A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310351533.X

申请日：2013-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  郑现钟 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.赛欧 ,  宋俔在 ,  许镇盛

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938

Abstract: 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN119835999A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411431565.5

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  卞卿溵 ,  金昌炫 ,  李殷奎

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法。该半导体器件包括：电介质壁，沿垂直于基板的方向提供；第一金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)，提供在电介质壁的一个侧表面上；第二MOSFET，在垂直于基板的方向上提供在第一MOSFET上方；以及第三MOSFET，与第一MOSFET平行地提供在电介质壁的另一侧表面上。

公开(公告)号：CN110752204B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN116504843A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310100911.0

申请日：2023-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  卞卿溵 ,  申建旭 ,  郑文一 ,  金恩太 ,  杨智恩 ,  李光熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H10K59/121

Abstract: 一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层。

公开(公告)号：CN109837524B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。