公开(公告)号：CN106432211B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201610664118.3

申请日：2016-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 郑妍淑 ,  金相模 ,  金贤贞 ,  田顺玉 ,  郑庸植 ,  蔡美荣 ,  许达灏 ,  姜昊锡 ,  金钟秀

IPC: C07D405/12 ,  C07D405/10 ,  C07D409/12 ,  C07D409/10 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D493/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开稠环化合物和包括其的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示，其中，在式1中，基团和变量与说明书中描述的相同。式1

公开(公告)号：CN108376743B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201810039080.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 印守康 ,  刘永玟 ,  卢昌镐 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  李南宪

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层，其中有机层包括发射层，其中发射层包括主体和掺杂剂，和其中有机发光器件满足在说明书中描述的预定的条件。

公开(公告)号：CN107043346B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201610821939.3

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 印守康 ,  姜昊锡 ,  孙准模 ,  李南宪 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  沈明善 ,  孙永睦 ,  田顺玉 ,  许达灏

IPC: C07D209/86 ,  C07D401/10 ,  C07D487/04 ,  C07D219/02 ,  C07D519/00 ,  C07D409/14 ,  C07D209/88 ,  C07D405/14 ,  C07D405/10 ,  C07D251/24 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物，其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。

公开(公告)号：CN112851638A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011368197.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵珉植 ,  裵惠珍 ,  田顺玉 ,  金仁九 ,  金钟秀 ,  南成虎 ,  崔玹豪

IPC: C07D401/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 提供有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备，所述有机金属化合物由式1表示。式1可通过参考本文中提供的式1的描述理解。式1

公开(公告)号：CN106978161B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201710007177.8

申请日：2017-01-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 姜昊锡 ,  金贤贞 ,  李南宪 ,  蔡美荣 ,  金相模 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  沈明善 ,  印守康 ,  田顺玉 ,  郑妍淑 ,  郑庸植 ,  许达灏

IPC: C07D409/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开组合物、包括所述组合物的薄膜、和包括所述组合物或薄膜的有机发光器件。包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的组合物，其中Ar1、Ar2、Ar11、Ar12、L1、L11、a1、和a11与说明书中描述的相同。式1Ar1‑(L1)a1‑Ar2式2Ar11‑(L11)a11‑Ar12。

公开(公告)号：CN110642846A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910559153.2

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 印守康 ,  沈明善 ,  郑多运 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  李河燮 ,  田顺玉 ,  郑妍淑 ,  郑庸植

IPC: C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C09K11/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/00

Abstract: 公开了有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述发射层包括预定的主体和热激活延迟荧光发射体。

公开(公告)号：CN109427806A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810653341.7

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹升铉 ,  李光镐 ,  柳志桓 ,  金钟秀

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位于基底上的多个块。沟槽设置在多个块之间。导电图案形成在沟槽内部。沟槽中的最外面的沟槽的下端形成在比与最外面的沟槽相邻的沟槽的下端的水平高的水平处。多个块中的每个包括交替且重复地堆叠的绝缘层和栅电极。柱沿与基底的上表面正交的方向穿过绝缘层和栅电极。

公开(公告)号：CN106518893A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610806474.4

申请日：2016-09-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 金相模 ,  金贤贞 ,  田顺玉 ,  郑妍淑 ,  蔡美荣 ,  许达灏 ,  权殷淑 ,  金钟秀 ,  沈明善

IPC: C07D519/00 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D487/04 ,  C07D209/94 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D209/94 ,  C07D487/04 ,  C07D491/04 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D513/04 ,  C07D519/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/50

Abstract: 公开稠环化合物和包括其的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示，其中Ar1、Ar2、L1、和L2与说明书中所描述的相同。式1Ar1-L1-L2-Ar2。

公开(公告)号：CN111755612B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202010255028.5

申请日：2020-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田顺玉 ,  金钟秀 ,  崔玹豪 ,  权殷淑 ,  闵珉植 ,  裵惠珍

IPC: H10K50/165 ,  H10K85/60

Abstract: 提供有机发光器件，其包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；所述有机层包括发射层；所述发射层包括主体、冷却掺杂剂和敏化剂，其中所述冷却掺杂剂和所述敏化剂满足条件1和2，在条件1和2中，T衰减(CD)为所述冷却掺杂剂的衰减时间，和T衰减(S)为所述敏化剂的衰减时间： T衰减(CD) T衰减(CD)

公开(公告)号：CN119552196A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411233073.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金煌奭 ,  金相模 ,  闵珉植 ,  裵惠珍 ,  郑妍淑 ,  崔惠成 ,  许准 ,  姜昊锡 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  孙永睦 ,  李衍庚 ,  郑多运 ,  朱京植

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H10K85/30 ,  H10K50/12

Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属；Y1‑Y3各自独立地为C或N；R4为取代或未取代的C1‑C60烷基；环CY2至环CY5各自独立地为C5‑C60碳环基团或C1‑C60杂环基团；L1为单键、O、S、Se、N(R61)、B(R61)、C(R61)(R62)、或Si(R61)(R62)；a1为1、2、3、4、或5；b20、b30、b40、和b50各自独立地为1、2、3、4、5、6、7、8、9、或10；并且式1的剩余基团如本文中所提供的。式1#imgabs0#