公开(公告)号：CN109686391B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811132920.3

申请日：2018-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑凤吉 ,  金炯坤 ,  郑东勳 ,  崔明勳

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/08 ,  G06F13/16 ,  G06F13/10

Abstract: 一种非易失性存储器装置的操作方法包含：从非易失性存储器装置的外部接收控制信号及数据信号；基于控制信号及数据信号产生调试信息；从非易失性存储器装置的外部接收调试信息请求；以及响应于调试信息请求输出调试信息。也提供一种非易失性存储器装置和一种非易失性存储器封装。

公开(公告)号：CN116072186A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211337685.X

申请日：2022-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  金炯坤 ,  郑凤吉 ,  洪允镐 ,  黄柱盛

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/30

Abstract: 公开的是存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块，所述存储块与多条字线连接；电压发生电路，所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压；以及地址译码电路，所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接。在所述多条字线的字线设置时段期间，所述电压发生电路在所述未选字线中的第一未选字线达到第一目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第一未选字线相对应的第一驱动线浮置，并且在所述未选字线中的第二未选字线达到与所述第一目标电平不同的第二目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第二未选字线相对应的第二驱动线浮置。

公开(公告)号：CN107102817B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710099063.0

申请日：2017-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑凤吉 ,  金炯坤

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种非易失性存储设备，包括非易失性存储单元阵列、页缓冲器电路、数据输入/输出电路和控制逻辑，其中N位存储在单个存储单元中(N是大于或等于2的整数)，页缓冲器电路电连接至非易失性存储单元阵列。页缓冲器电路包括被配置为临时存储数据的至少N个锁存器。连接至页缓冲器电路的数据输入/输出电路接收编程的输入数据，并将该输入数据提供至页缓冲器电路。控制逻辑控制页缓冲器电路并在从数据输入/输出电路接收编程单元的所有输入数据之前初始化目标锁存器的值。

公开(公告)号：CN107093459A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710154079.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲范 ,  金炯坤 ,  李哲昊 ,  张洪硕

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/10 ,  G11C8/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器设备及其读取方法和存储器系统。一种在非易失性存储器设备上执行读取操作的方法，包括：接收读取命令；接收地址；检测读取使能信号的跃迁；基于所述读取使能信号的跃迁来生成选通信号；读取与所接收的地址对应的数据；以及在所述选通信号来回切换预定次数后输出所读取的数据。

公开(公告)号：CN102467968B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201110361217.1

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲范 ,  金炯坤 ,  李哲昊 ,  张洪硕

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/10 ,  G11C8/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器设备及其读取方法和存储器系统。一种在非易失性存储器设备上执行读取操作的方法，包括：接收读取命令；接收地址；检测读取使能信号的跃迁；基于所述读取使能信号的跃迁来生成选通信号；读取与所接收的地址对应的数据；以及在所述选通信号来回切换预定次数后输出所读取的数据。