公开(公告)号：CN114944363A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111190682.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  朴范琎 ,  裵东一 ,  米尔科·康托尔

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括多个栅极结构和多个分离图案，多个栅极结构在基底上沿第一方向彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个分离图案分别穿透多个栅极结构中的紧邻的栅极结构。多个分离图案中的每个将紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构。多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。

公开(公告)号：CN110875375A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910466683.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  姜明吉 ,  金昊俊 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 根据示例实施例的半导体器件包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，其中，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。

公开(公告)号：CN107134454A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710107234.X

申请日：2017-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟昊 ,  金昊俊 ,  石城大 ,  裵金钟

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件可以包括：衬底；垂直于衬底的上表面延伸的源/漏区；在衬底上并且彼此分离的多个纳米片；以及在衬底上的栅电极和栅绝缘层。纳米片限定在源/漏区之间在第一方向上延伸的沟道区。栅电极围绕纳米片并且在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅绝缘层在纳米片和栅电极之间。栅电极在第一方向上的长度可以大于纳米片中的相邻纳米片之间的间隔。

公开(公告)号：CN103872014A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310653224.8

申请日：2013-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  朴哲弘 ,  都桢湖 ,  沈相必 ,  尹钟植 ,  千宽永

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上并且包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，设置在第一接触部上并且共同连接到彼此相邻的第一接触部；以及共导线，设置在长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。共导线使第一掺杂区域彼此电连接。