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公开(公告)号：CN114944363A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111190682.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括多个栅极结构和多个分离图案，多个栅极结构在基底上沿第一方向彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个分离图案分别穿透多个栅极结构中的紧邻的栅极结构。多个分离图案中的每个将紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构。多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。
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