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公开(公告)号：CN1790750B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200510124866.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及一种显示设备及其制造方法，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极、栅极绝缘层、沟道图案、源电极和漏电极。沟道图案包括：形成在栅电极上并覆盖栅电极的半导体图案；形成在半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。源电极包括顺序形成在第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。漏电极包括顺序形成在第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案、第二覆盖图案、源极图案和漏极图案的端部包括倾斜的截面轮廓。第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属，第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。
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公开(公告)号：CN1904742B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200610103511.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/2855 , H01L21/31133 , H01L21/76838 , H01L21/7685 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。
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公开(公告)号：CN101477969B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910002999.2
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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公开(公告)号：CN101881914A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010210445.4
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN101477969A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910002999.2
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1877448A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610067407.1
申请日：2006-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: C23F1/30 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂，一种使用该蚀刻剂制造布线的方法，以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。该蚀刻剂包括具有分子式1的材料、乙酸铵和余量的去离子水，其中，所述分子式1表示为：M(OH)XLY…(1)，M表示Zn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、Si或B，X表示2或3，L表示H2O、NH3、CN、COR或NH2R，Y表示0、1、2或3，以及R表示烷基。
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公开(公告)号：CN1873530A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号：CN1873489A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
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公开(公告)号：CN1828914A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610057753.1
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN102110693A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010570100.X
申请日：2010-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/77
CPC classification number: H01L33/16 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上。数据线和漏极具有双层结构，所述双层结构包括下层和上层，并且下层具有突出到上层外部的第一部分，半导体层具有突出到下层的边缘外部的第二部分。
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