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公开(公告)号：CN1575525A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02820938.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中，在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后，形成栅极绝缘层，在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着，将导电层沉积在基片上，并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着，将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像，从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着，将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层，露出漏极、栅极衬垫、以及数据衬垫。接着，通过固化收缩或回流有机绝缘层，以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着，将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上，并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫、及辅助数据衬垫。
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公开(公告)号：CN103034004A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210434760.4
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。
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公开(公告)号：CN1873489B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
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公开(公告)号：CN100580906C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610099446.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/1368 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，用于最小化与存储电极重叠的有机层的粗糙表面。该方法包括在具有存储电极的基板上形成钝化层；形成覆盖钝化层的有机层；通过部分去除有机层与存储电极重叠的部分来形成凹陷部分；平坦化位于凹陷部分的底部上的粗糙图案；以及通过从凹陷部分去除平坦化有机层来形成延伸至钝化层表面的开口。
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公开(公告)号：CN1901158A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610099446.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/1368 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，用于最小化与存储电极重叠的有机层的粗糙表面。该方法包括在具有存储电极的基板上形成钝化层；形成覆盖钝化层的有机层；通过部分去除有机层与存储电极重叠的部分来形成凹陷部分；平坦化位于凹陷部分的底部上的粗糙图案；以及通过从凹陷部分去除平坦化有机层来形成延伸至钝化层表面的开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822352A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610002183.6
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14692
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。
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公开(公告)号：CN1767175A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510102853.7
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L21/32134 , H01L21/76838 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。
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公开(公告)号：CN1767175B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200510102853.7
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L21/32134 , H01L21/76838 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。
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公开(公告)号：CN101881914A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010210445.4
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN1680863B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200510074170.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/1343
Abstract: 本发明的一种液晶显示器，包括一第一基板，一第二基板以及一注入其中的液晶层。第一基板包括栅极线，一形成在栅极线之上的数据线，一与栅极线和数据线电连接的开关元件，一与开关元件电连接的像素电极，一形成在像素电极上的划分液晶域的元件，形成在域划分元件上的第一取向层。第二基板包括公共电极，形成在公共电极上的一第一突起部和一第二突起部。第一突起部和第二突起部具有不同的高度。一第二取向层形成在上述突起部上。
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