公开(公告)号：CN100580906C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200610099446.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹义植 ,  金彰洙

IPC: H01L21/82 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，用于最小化与存储电极重叠的有机层的粗糙表面。该方法包括在具有存储电极的基板上形成钝化层；形成覆盖钝化层的有机层；通过部分去除有机层与存储电极重叠的部分来形成凹陷部分；平坦化位于凹陷部分的底部上的粗糙图案；以及通过从凹陷部分去除平坦化有机层来形成延伸至钝化层表面的开口。

公开(公告)号：CN1901158A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610099446.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹义植 ,  金彰洙

IPC: H01L21/82 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，用于最小化与存储电极重叠的有机层的粗糙表面。该方法包括在具有存储电极的基板上形成钝化层；形成覆盖钝化层的有机层；通过部分去除有机层与存储电极重叠的部分来形成凹陷部分；平坦化位于凹陷部分的底部上的粗糙图案；以及通过从凹陷部分去除平坦化有机层来形成延伸至钝化层表面的开口。