公开(公告)号：CN1613152A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826910.1

申请日：2002-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在甲 ,  姜奉周 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。该栅极绝缘层覆盖栅极布线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在数据布线上形成钝化层。在钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线及数据布线由含有Ag和包括选自Zn、In、Sn、及Cr中至少一种的添加剂的银合金组成。

公开(公告)号：CN101552242B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910137759.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN1664686B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510067727.2

申请日：2005-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  李在敬 ,  郑敞午 ,  赵范锡

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 用于大的平板显示器的多层连线通过在存在前体气体的情况下在基板上淀积钼以形成钼层而形成，所述前体气体包含氧、氮和碳中的至少一种。在所述钼层上淀积铝层。可在所述铝层上形成另一金属层。所述钼层具有面心立方(FCC)晶格结构并具有(111)择优取向。

公开(公告)号：CN100550304C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200380103627.X

申请日：2003-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H01L27/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345 ,  C22F1/08 ,  C22C9/10

CPC classification number: H01L29/4908 ,  C22C9/00 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 提供一种用于LCD装置的TFT基板及其制造方法。基板(10)、扩散阻挡层(11)和铜合金层(12)相继形成在TFT基板上。铜合金包括约0.5at%至约15at%的一种材料从而形成栅极布线层。该材料用于形成扩散阻挡层(11)。包括诸如Zr、Ti、Hf、V、Ta、Ni、Cr、Nb、Co、Mn、Mo、W、Rh、Pd、Pt等的材料的化合物沉积在扩散阻挡层(11)上至约50至约5,000的厚度。然后所沉积的化合物被热处理从而将所沉积的化合物转变为硅化物化合物(11b)。该晶体管基板具有低电阻和高电导。另外，利用薄扩散阻挡层，蚀刻工艺被简化并且相互扩散被防止。

公开(公告)号：CN101552242A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910137759.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN100446260C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN100371810C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN02826607.2

申请日：2002-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。栅极绝缘层覆盖该栅极布线。在该栅极绝缘层上形成半导体图案。在该栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在该数据布线上形成钝化层。在该钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线和数据布线包括三层，即粘合层、含银层、以及钝化层。粘合层由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一种组成，含Ag层由Ag或Ag合金组成，而钝化层由IZO、Mo、Mo合金、Cr、及Cr合金中的一种组成。

公开(公告)号：CN1945813A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610152439.1

申请日：2006-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触件；在欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用第一光刻胶作为蚀刻掩膜对第二绝缘层和第一绝缘层进行蚀刻，以露出漏电极的一部分和基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除第一光刻胶。

公开(公告)号：CN1776513A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125432.6

申请日：2005-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  裵良浩 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。

公开(公告)号：CN1748318A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003672.2

申请日：2004-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敞午 ,  赵范锡 ,  崔熙焕

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种LCD装置的薄膜晶体管基片及其制造方法。该薄膜晶体管基片包括形成在含有硅的绝缘层图样上的镍－硅化物层及在镍－硅化物层上形成的金属层。将镍涂布在含有硅的绝缘层图样并且将金属层涂布在镍涂布层上。然后，在大约200～350℃的温度下进行热处理以获得镍－硅化物层。由于通过应用镍－硅化物布线制造LCD装置的薄膜晶体管基片，所以可以获得具有低电阻率且具有良好欧姆接触特性的装置。