公开(公告)号：CN110504264A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910298285.4

申请日：2019-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷赫 ,  金国桓 ,  金完敦 ,  朴正敏 ,  朴钟昊 ,  李炳训 ,  河龙湖 ,  玄尚镇 ,  洪慧理

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。

公开(公告)号：CN109755299A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811307372.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。

公开(公告)号：CN109473479A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811046123.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣仁 ,  罗勋奏 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

公开(公告)号：CN108574007A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810162659.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  金贤陈 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  郑圣勋 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/49

Abstract: 本申请提供了一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于衬底上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的第一功函数调整层、在第一功函数调整层上且与第一功函数调整层接触的下阻挡导电层以及在下阻挡导电层上且与下阻挡导电层接触的上阻挡导电层。上阻挡导电层和下阻挡导电层包括共同的材料，例如，它们可以各自包括氮化钛(TiN)层。