公开(公告)号：CN101241752A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810085618.7

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起弘 ,  李炳勋 ,  李承源 ,  金善券

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C16/20

Abstract: 本发明提出了一种存储卡和包含所述存储卡的存储系统。所述存储卡包括：第一存储芯片，响应所有外部输入命令；以及第二存储芯片，响应于外部输入命令中与数据的读取、编程、以及擦除操作相关的命令。存储在第一存储芯片内的卡识别信息包括与所述第一和第二存储芯片大小之和相对应的容量信息。存储卡的多个存储芯片在设计各种形式存储容量的存储卡时很有用。

公开(公告)号：CN116329193A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211663432.1

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校ERICA产学协力团

Inventor： 李炳勋 ,  朴真求 ,  金兑坤 ,  朴相昱 ,  丁昶荣 ,  安镇浩

IPC: B08B7/00 ,  B08B7/02 ,  B08B7/04 ,  B08B13/00

Abstract: 实施方式涉及保护膜清洁装置和使用其的保护膜清洁方法。该保护膜清洁装置包括：支撑保护膜的平台；在平台之上的颗粒去除器，颗粒去除器被配置为从保护膜的第一表面去除颗粒，并且颗粒去除器包括悬臂和在悬臂的底表面上的粘合材料；以及与平台相邻的压力控制器，压力控制器被配置为控制保护膜的第二表面上的流体的压力。

公开(公告)号：CN112305855A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010586599.7

申请日：2020-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋 ,  郑镛席 ,  方珠美 ,  安秉燮

IPC: G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。

公开(公告)号：CN106056190A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610160355.6

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相孝 ,  文炳泽 ,  宋壹种 ,  李炳勋

IPC: G06K19/07

Abstract: 提供了便携式装置中的近场通信(NFC)封装件和NFC的方法。所述NFC封装件包括安全存储装置和NFC控制器，安全存储装置被构造为存储数据，NFC控制器被构造为从安全存储装置接收数据，在NFC模式下通过执行NFC通信将接收到的数据提供到第一外部终端，并且在磁力安全传输(MST)模式下通过执行MST通信将接收到的数据提供到第二外部终端。

公开(公告)号：CN105591199A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510648437.0

申请日：2015-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣起 ,  文炳泽 ,  张要翰 ,  宋壹褈 ,  李载奭 ,  李炳勋

IPC: H01Q1/44 ,  H01Q21/00

CPC classification number: H04M1/026 ,  H01Q1/00 ,  H01Q1/243 ,  H01Q7/005 ,  H04M1/0249 ,  H04M1/72575 ,  H04M2201/08 ,  H04M2250/04 ,  H04W88/06 ,  H01Q1/44 ,  H01Q21/00

Abstract: 可以提供移动装置的壳体、近场通信收发器和移动装置，所述移动装置的壳体包括：框架，限定移动装置的周边，框架包括第一金属材料并被构造为作为用于第一无线通信的第一天线来操作；以及盖，被构造为覆盖移动装置的至少一个表面，盖包括第二金属材料，并且框架的至少一部分和盖被构造为作为用于第二无线通信的第二天线来操作。

公开(公告)号：CN1577605B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200410068445.X

申请日：2004-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋 ,  郑七熙

IPC: G11C5/12

CPC classification number: G11C16/0425

Abstract: 一种集成电路存储器件包括编程存储单元和可编程和可擦除存储单元。该存储器件包括第一存储阵列块，其中布置了编程的存储单元，和第二存储阵列块，其中布置了可编程和可擦除存储单元。第一存储阵列块中的编程存储单元在半导体制造工艺期间以预定数据进行编程，并可以是掩模只读存储(ROM)单元。第二存储阵列块中的可编程和可擦除存储单元在半导体制造工艺之后以预定数据进行编程和擦除，并可以是电可擦除和可编程只读存储(EEPROM)单元或闪速存储单元。

公开(公告)号：CN101295543A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710303586.9

申请日：2007-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善券 ,  李炳勋

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 一种操作非易失性存储设备的方法，包括在连续写操作的执行之间的时期，对于编程和/或擦除所述非易失性存储设备的存储单元将写电压维持在预定电压电平。例如，响应于开始写命令，可以将所述写电压激活为预定电压电平，并且响应于指示连续写命令的信号，可以阻止所述写电压的放电。还讨论了相关的设备。

公开(公告)号：CN100386712C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200510091388.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善券 ,  李炳勋

IPC: G06F1/32

CPC classification number: G06F1/324 ,  G06F1/08 ,  G06F1/3203 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/172

Abstract: 一种产生时钟信号的集成电路，包括电压转换单元、最大功率确定单元、时钟控制单元和时钟发生器。该电压转换单元将外部电源电压转换成内部电源电压，并检测功能块电流消耗量的变化，以产生测得电压，其中该功能块利用内部电源电压消耗预定电流。该最大功率确定单元确定功能块的最大电流消耗量，并将该最大电流消耗量转换成对应的最大容许电压。该时钟控制单元根据该测得电压和最大容许电压之间的比较结果，而产生至少一个频率控制信号。该时钟发生器产生根据频率控制信号调节其频率的时钟信号。

公开(公告)号：CN1780144A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510124854.1

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪洙 ,  李炳勋

IPC: H03K3/017

CPC classification number: H03K5/1565 ,  H03K5/086

Abstract: 提供了一种包括用于产生具有50％占空因数的信号的最小构件的紧凑型占空因数校正电路。该占空因数校正电路包括存储元件和校正电路。存储元件响应时钟信号和反馈信号而产生输出信号。校正电路包括电阻器和电容器，并响应存储元件的输出信号而输出反馈信号。

公开(公告)号：CN1753098A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510070197.7

申请日：2005-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋 ,  金善券

IPC: G11C5/14 ,  G05F1/46 ,  G05F1/56

CPC classification number: G05F1/465

Abstract: 提供一种内部电压生成器和方法，内部电压生成器包括第一参考电压生成器，用于接收外部电压并提供第一参考电压、第二参考电压生成器，用于接收内部电压并提供第二参考电压、以及电压调节器，其与第一参考电压生成器和/或第二参考电压生成器信号联络，以接收第一或第二参考电压并提供内部电压；产生内部电压的方法包括接收外部电压、响应于所接收外部电压生成第一参考电压、相应于第一参考电压调节内部电压、响应于内部电压生成第二参考电压、以及相应于第二参考电压调节内部电压。