公开(公告)号：CN103228027B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210539500.3

申请日：2012-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑富燮 ,  李政勋

IPC: H04W48/16 ,  H04W76/02

CPC classification number: H04W48/16 ,  H04W4/80 ,  H04W8/005 ,  H04W52/0251 ,  H04W76/14 ,  H04W84/18 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/22

Abstract: 提供一种用于管理无线系统中的装置发现的方法和设备。所述方法包括执行周期搜索操作以发现对等装置，在发现适合对等装置时停止周期搜索操作，切换至周期侦听操作，以允许无线保真（WiFi）点对点（P2P）装置被所发现的对等装置发现并允许与所发现的对等装置的连接。

公开(公告)号：CN101448033B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810182366.X

申请日：2008-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢良云 ,  柳亨坤 ,  李政勋 ,  柳京美 ,  朴钟贤

IPC: H04W88/02 ,  H04M1/02

CPC classification number: H01Q1/243 ,  H04M1/026

Abstract: 本发明提供一种支撑板及具有该支撑板的移动通信终端，所述支撑板包括：板体，板体的形状呈具有预定宽度和长度的平板，并且板体由金属制成；无线电覆盖区构件，设置在板体的相对的两端中的一端，以便与天线的无线电覆盖区相邻地布置，并且该无线电覆盖区构件由塑料制成。此外，移动通信终端具有支撑板，支撑板支撑移动通信终端的机身，至少一个天线安装在移动通信终端的机身上，移动通信终端通过所述天线发送和接收无线电波。

公开(公告)号：CN1302393C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN01809523.2

申请日：2001-05-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  金新德 ,  李政勋

Inventor： 金新德 ,  李政勋

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/08

CPC classification number: G06F12/0897 ,  G06F12/0864 ,  Y02D10/13

Abstract: 提供了一种控制高速缓冲存储器系统的方法。将要被控制的高速缓冲存储器系统包括：用小块尺寸配置的直接映射的(direct-mapped)高速缓冲存储器、和包括多个小块的大块尺寸配置的完全联系的(fully associative)空间缓冲器。在此，对直接映射的高速缓冲存储器和完全联系的缓冲器的访问未命中，则根据先进先出(FIFO)处理，将被访问地址的数据和邻近地址的数据复制到完全联系的空间缓冲器中的大块中。而且，如果在将要从完全联系的缓冲器中挤出的相对应的大块数据之中，访问一个或多个小数据块，就将被访问的小块复制到直接映射的高速缓冲存储器中。

公开(公告)号：CN119875513A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411485117.3

申请日：2024-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高允锡 ,  李政勋 ,  池尚洙 ,  F·卡利尼纳 ,  李昡在

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 提供抛光浆料和制造半导体器件的方法，其中所述抛光浆料包括具有大于约5的莫氏硬度的纳米磨料颗粒、和具有比所述纳米磨料颗粒低的莫氏硬度的软颗粒，并且其中所述纳米磨料颗粒和所述软颗粒在所述浆料中具有彼此相同的ζ电位符号。

公开(公告)号：CN117004369A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310494109.4

申请日：2023-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池尚洙 ,  李殷成 ,  李政勋 ,  权映男

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306

Abstract: 提供复合研磨剂、其制备方法、包括其的抛光浆料和制造半导体器件的方法，所述复合研磨剂包括主体材料和从所述主体材料的表面突出的研磨剂颗粒。所述主体材料可具有比所述研磨剂颗粒的莫氏硬度小的莫氏硬度。所述主体材料可具有二维平面结构和/或层状结构。所述主体材料和所述研磨剂颗粒之间的结合力可大于或等于约200nN。

公开(公告)号：CN103424913A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310175306.6

申请日：2013-05-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 安埈奭 ,  金东旭 ,  金圣桓 ,  朴志秀 ,  朴赞洪 ,  沈昞局 ,  李钟铁 ,  李哲世 ,  崔亨植 ,  安炳旭 ,  李政勋

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/13 ,  H05K7/18

CPC classification number: G02F1/133308 ,  F21V33/0052 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/13336 ,  G02F1/133602 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13332 ,  G02F2001/133328 ,  H05K5/0017 ,  H05K5/02 ,  H05K5/0217

Abstract: 本发明提供了一种显示装置。所述显示装置包括显示图像的显示屏幕，显示屏幕在屏幕的不同部分处包括不同的曲率，各个不同的曲率具有不同的曲率半径，每个曲率半径对应于圆弧的半径，所述圆弧近似于与相应的部分相交的曲线。本发明的显示装置可以防止因处于弯曲状态的显示面板上的应力而产生的显示缺陷。

公开(公告)号：CN101207136A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710199197.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在雄 ,  朴奎灿 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  陈暎究 ,  金锡必 ,  赵庆来 ,  李政勋 ,  宋承桓

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。

公开(公告)号：CN101150697A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710112252.3

申请日：2007-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政勋

IPC: H04N5/907 ,  H04N5/225

CPC classification number: G06F1/266 ,  G06F1/24

Abstract: 一种安装有存储卡的电子设备和存储卡的复位方法。电子设备包括：电源单元，用来为存储卡提供电能；和卡接口单元，用来切断来自电源单元的电能，然后对存储卡重新提供电能。因此，存储卡可以非常高效地从无效状态退出。

公开(公告)号：CN101086994A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610165948.8

申请日：2006-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李政勋

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了一种非易失存储器，其包括：半导体衬底，包括体和从体向上突出并彼此分开的成对的鳍；控制栅极，覆盖成对的鳍的至少部分外侧表面并相对于成对的鳍以一角度延伸跨过鳍的顶部；成对的栅极绝缘层，夹置在控制栅极和成对的鳍之间；成对的存储节点层，夹置在成对的栅极绝缘层和至少部分控制栅极之间。

公开(公告)号：CN1901224A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610054967.3

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  玄在雄 ,  李政勋 ,  边成宰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种利用该半导体器件的随机存取存储器(RAM)，该半导体器件利用了SOI结构的优点，同时控制着主体偏压并具有高的工作电流和低的接触电阻的高性能。该半导体器件包括：在半导体衬底上以成对鳍形成的一对沟道区；对应于所述一对沟道区的栅电极；并行电连接到形成于所述一对鳍的每个上的源极的源极接触插塞；以及并行电连接到所述漏极的漏极接触插塞。该半导体器件还可以包括所述漏极接触插塞上的存储节点，或者位于所述沟道区和栅电极之间的存储节点。