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公开(公告)号：CN1835206A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610007141.1
申请日：2006-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76844 , H01L21/76849 , H01L21/7685
Abstract: 本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。
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