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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571582A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110441724.X
申请日：2021-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供具有金属栅极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件及其制造方法，其中在MOSFET器件中，该金属栅极结构的功函数沿着沟道的长度方向是均匀的。该MOSFET器件包括：半导体基板；有源区，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及在半导体基板上的栅极结构。栅极结构在与第一方向相交的第二方向上跨过有源区延伸，并包括依次堆叠在有源区上的高k层、第一金属层、功函数控制(WFC)层和第二金属层。WFC层的下表面可以在第一方向上比在第一金属层的下表面和高k层的上表面之间的第一界面长。
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公开(公告)号：CN108009310A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711033038.9
申请日：2017-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/18 , G06F2217/02 , H01L23/556 , H01L23/60 , H01L27/0886 , H01L29/0669 , H01L29/785 , H01L29/7851 , G06F2217/16
Abstract: 一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。
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公开(公告)号：CN106570212A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610887556.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/5031 , G06F17/505 , G06F2217/10 , G06F2217/84 , H04L41/145 , G06F17/5068 , G06F17/5072
Abstract: 提供一种基于随机电报信号噪声的电路设计方法和仿真方法。一种仿真方法包括：接收描述多个装置的网表；通过使用分别与所述多个装置对应的随机电报信号(RTS)噪声因子的值，来执行算术运算；基于算术运算的结果，来生成与所述多个装置中的每个装置对应的RTS模型；生成反映RTS模型的网表。
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公开(公告)号：CN104036064A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410082148.4
申请日：2014-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 提供了一种用于对半导体器件进行仿真的设备和相关操作方法。所述设备包括：数据输入模块，被配置为接收包括第一区域和第二区域的半导体器件的结构性数据；空间离散产生模块，被配置为通过将第一区域划分为第一型网格并将第二区域划分为不同于第一型网格的第二型网格，来使用结构性数据划分半导体器件的空间。
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