公开(公告)号：CN107026642A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710061169.1

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具京会 ,  朴相勋 ,  崔珍镐

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/018521 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1057 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/00361 ,  H03K19/017509 ,  H03K19/017518 ,  H03K19/018528 ,  H03K19/018592 ,  H03K19/17744 ,  H03K19/018507

Abstract: 可以提供一种发射器电路，其包括：预驱动器电路，其被配置为从逻辑电路接收逻辑信号并且生成由第一电压驱动的第一信号，所述预驱动器电路包括晶体管，所述晶体管具有等于或低于所述逻辑电路中所包括的晶体管的阈值电压的阈值电压；以及主驱动器电路，其被配置为接收所述第一信号并且生成由第二电压驱动的第二信号，所述主驱动器电路被配置为将所述第二信号输出到输入/输出垫，所述主驱动器电路包括晶体管，所述晶体管具有等于或低于所述逻辑电路中所包括的所述晶体管的所述阈值电压的阈值电压。

公开(公告)号：CN1453875A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03128594.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相勋 ,  李基永

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种有模拟电容器的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在半导体衬底预定区的底板电极，以及其上的具有由底板电极重叠的区域的上板电极。用金属化合物形成上和底板电极。电容器介电层夹在底和上板电极之间。底和上电极插塞通过层间介电层连接到底和上板电极。按本发明方法，在半导体衬底预定区形成底板电极。形成上板电极以具有由底板电极重叠的区域，并形成夹在底和上板电极之间的电容器介电层。在形成有上板电极的半导体衬底的整个表面形成层间介电层。形成通过层间介电层连接到底和上板电极的底和上电极插塞。用金属化合物形成底和上板电极。