薄膜晶体管阵列面板
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100568513C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200610006160.2

    申请日:2006-01-25

    Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。阵列面板包括基本一致的存储电容,且以相对小的面积容许相对大的电容。在一些实施例中,该面板包括:基板;在基板上的多个半导体区域,其包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域;栅极绝缘层,其覆盖至少部分半导体区域;包括栅极电极的栅极线,其至少部分地交迭沟道区域且形成在栅极绝缘层上;包括存储电极的存储线,其至少部分地交迭存储区域且形成在栅极绝缘层上;包括源极电极的数据线,其连接到源极区域且形成在栅极绝缘层上;漏极电极,其连接到漏极区域和虚设区域且形成在栅极绝缘层上;以及象素电极,其连接到漏极电极。

    显示装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101174063A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710193774.0

    申请日:2005-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种显示装置,该装置包括第一基板,具有用于连接到外电路的焊盘部分;第二基板,相对地面对所述第一基板;密封剂,设置在第一基板和第二基板的外周边区域,该密封剂将第一基板粘附到第二基板;和外部黑基体,形成在第一和第二基板之一的外周边区域,其中,相应于外周边区域的至少一部分的外部黑基体的宽度不同于相应于外周边区域的另一部分的外部黑基体的宽度。因此提供了一种具有基板之间优异的粘附并阻止显示区被缩窄的显示装置。

    液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1383214A

    公开(公告)日:2002-12-04

    申请号:CN01133118.6

    申请日:2001-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在与数据线相同的绝缘中间层上且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。

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