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公开(公告)号：CN109256406A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , H01L45/1691 , H01L45/1253
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
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公开(公告)号：CN107017261A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610952076.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L27/11551 , H01L27/115 , H01L27/11578
Abstract: 半导体器件被提供。半导体器件包括多个栅极电极。半导体器件包括相邻于多个栅极电极的沟道结构。半导体器件包括在沟道结构和多个栅极电极之间的多个电荷存储段。还提供形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104916218A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510310207.3
申请日：2011-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09B29/10
CPC classification number: G09B29/106
Abstract: 一种内容搜索设备，包括：级别设置单元，其被配置为根据指定的区域标准将内容分组，并且基于内容分布对至少一组设置扩展级别；以及接口单元，其被配置为选择对其设置了所述扩展级别的所述至少一组中的一组。所述内容搜索设备还包括：控制单元，其被配置为通过根据被选择的组的扩展级别将地图放大来提供被选择的组的内容。
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公开(公告)号：CN101533849B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1968010A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610149420.1
申请日：2006-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03G5/005 , H03G3/3089
Abstract: 提供控制所接收的声音的音量的设备和方法，更具体地，提供控制所接收的声音的音量的设备和方法，其使用软件应用程序将转换成数字数据的声音数据的音量控制到预定音量电平。该设备包括：声音信号接收单元，用于接收模拟声音信号；模/数(A/D)转换单元，用于将该模拟声音信号转换成数字声音数据；以及音量调整单元，用于调整该数字声音数据的音量。
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公开(公告)号：CN109768159B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811329735.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。
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公开(公告)号：CN110140097B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780081926.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的实施例，一种电子装置可包括：光源，被配置为发射光；和显示面板，被配置为输出图像，其中，显示面板可包括：像素层，包括被配置为显示图像的多个像素；驱动电路层，被配置为驱动所述多个像素中的至少一个像素；和光屏蔽层，与驱动电路层邻近布置，用于为驱动电路层屏蔽发射出的光，其中，光屏蔽层可被接地至在所述电子装置内部形成的接地部件。根据本公开的实施例，所述电子装置可被实现为各种形式。
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公开(公告)号：CN115513348A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210115723.0
申请日：2022-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种基板结构，其包括：基板；设置在基板上的缓冲层；设置在缓冲层上的多孔半导体层，该多孔半导体层具有多个空隙；设置在多孔半导体层上的多个半导体发光结构，所述多个半导体发光结构具有垂直延伸的纳米棒形状；以及设置在所述多个半导体发光结构中的每个的侧壁上的钝化膜，该钝化膜具有绝缘性质。
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公开(公告)号：CN106062761B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201580012474.0
申请日：2015-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F21/30 , G06F3/0488
Abstract: 提供了一种装置及解锁装置的方法。所述解锁装置的方法包括：当装置的已禁用的屏幕被启用时，确定装置的输入工具是否从装置被分离；基于确定结果，从用于在装置的启用屏幕上解锁装置的多个用户界面之中选择一个用户界面；在装置的屏幕上显示选择的用户界面；并且接收针对显示的用户界面的触摸输入。所述多个用户界面包括用于接收通过输入工具进行的触摸输入的用户界面和用于接收通过用户的身体部位进行的触摸输入的用户界面。
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