公开(公告)号：CN115706054A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210473142.4

申请日：2022-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张贤禹 ,  金东完 ,  朴建熹 ,  朴桐湜 ,  朴晙晳 ,  张志熏

IPC: H01L21/8234 ,  H10B12/00

Abstract: 公开了半导体存储器件及其制造方法。所述方法包括：提供包括单元阵列区域和边界区域的衬底；在所述单元阵列区域上形成在所述衬底的上部限定有源部分的器件隔离层；在所述边界区域上在所述衬底上形成中间层；在所述衬底上形成电极层，所述电极层在所述边界区域上覆盖所述中间层；在所述电极层上形成覆盖层；形成附加覆盖图案以在所述边界区域上为所述覆盖层提供第一台阶差；以及对所述附加覆盖图案、所述覆盖层和所述电极层执行蚀刻工艺以形成跨过所述有源部分的位线。在所述蚀刻工艺期间，所述电极层在所述单元阵列区域和所述边界区域上同时被暴露。

公开(公告)号：CN114446960A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111221518.4

申请日：2021-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张志熏 ,  韩正勋 ,  洪智硕 ,  朴桐湜

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本公开提供了一种能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区域和单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其限定单元区域；位线结构，其位于单元区域中；第一外围栅极结构，其位于衬底的外围区域上，第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于第一外围栅极结构周围；以及插入层间绝缘膜，其位于外围层间绝缘膜和第一外围栅极结构上，并且包括与外围层间绝缘膜的材料不同的材料。外围层间绝缘膜的上表面低于第一外围封盖膜的上表面。